2008 Fiscal Year Annual Research Report
半導体表面の水素ブリスタリングの動的特性解明とナノ加工への応用
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17560025
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| Research Institution | Aichi Institute of Technology |
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Principal Investigator |
岩田 博之 Aichi Institute of Technology, 工学部, 講師 (20261034)
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| Keywords | 水素イオン注入 / スマートカット / 透過型電子顕微鏡 / RBS / ブリスタリング / 結晶欠陥 / 格子欠陥 / ナノデバイス |
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| Research Abstract |
1,基礎発現メカニズムの解明:高濃度水素イオン注入によるダメージ、特に結晶欠陥の性状・方位・分布を透過型電子顕微鏡観察から評価し、薄膜切り出し形状・深さとの関連性を詳細に調べた。特にドーズ量による違いを比較し,加熱前の結晶欠陥総内のプレートレット型欠陥のサイズの深さとドーズ量の関係にっいて理論と比較しながら変化と差異を明らかにした。
2,異種イオン照射の援用効果:少量の異種イオン(He,F等)を照射し,化学的作用を付加し薄膜切り出しにおける,切り出し深さ,平坦度,アニール温度の低温化,イオン注入時間の短縮などの効果を評価した.特にフッ素併用注入では加熱時間の短縮効果が見られた.
3,イオンビーム分析による加熱の効果:チャネリング・ラザフォード後方散乱(RBS/C)分光法による欠陥分布評価と反跳原子検出法(ERDA)による水素分布検出を利用し,加熱による欠陥分布と水素分布の深さ方向の移動を評価した.欠陥分布は温度とともに修復し,水素濃度のピーク位置は表面側に移動することがわかった.
4.ブリスタリング現象とFIB加工の併用によるナノ加工への展開
集束イオンビームにより事前に試料表面に加工を施すことにより,ナノオーダ精度で瞬時にナノ構造物を大量に作製する手法の取り掛かりとなる基礎的データを得た.今後実用へ展開を行う
*ブリスタリングの動的挙動観察:
本研究課題の主題である,その場加熱観察によるブリスタリングとフレーキング動的挙動の観察においては装置の故障,新規導入装置搬入遅れ等の事情により成果の拠出は次年度送りとした。1,〜3,の成果と合わせ今後明らかにしていく.
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