2005 Fiscal Year Annual Research Report
陽電子ビームを用いたナノボイドのリアルタイム検出によるボイド核生成機構の解明
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17560742
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
岩井 岳夫 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (30272529)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
阿部 弘亨 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教授 (40343925)
濱口 大 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究員 (60396926)
土田 秀次 京都大学, 大学院工学研究科, 助手 (50304150)
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| Keywords | ボイドスエリング / 陽電子ビーム / ニッケル / イオン照射 |
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| Research Abstract |
本年度は、イオンビーム照射下陽電子ビームドップラー拡がり測定により、照射中にのみ存在する熱的に不安定なナノボイドのリアルタイム検出を第一の目標とし、研究を実施した。従来までの研究では、室温で鉄の焼鈍材に対してイオンビーム照射下陽電子ビームドップラー拡がり測定を行った場合、ナノボイドが熱的に安定であるため照射を止めてもナノボイドが残存することがわかっている。また、ナノボイドが不安定な温度である300℃付近ではナノボイドの検出は成功に至っていない。こうした経緯を踏まえ、本年度は不安定ナノボイド検出に向けた実験条件のサーベイを開始した。材料としては、FCC構造で照射によるボイドスエリングが大きく、かつ照射下の挙動が各種実験手法でよく調べられているニッケルを選定した。実験に使用した主要設備は茨城県東海村の東京大学大学院工学系研究科原子力専攻重照射研究設備に既設のイオンビーム照射下陽電子ビーム測定装置である。今年度はイオンフラックス計測の精度・空間分解能向上を目指し、設備備品費により重イオン電流測定器を購入した。実験結果としては、数ミクロン厚のニッケル箔においては室温で照射中と照射後で異なるSパラメータ(空孔型欠陥生成を表す)を示したのに対し、数百ミクロン厚のバルク試料ではこうした現象は見られなかった。原因としては応力の効果あるいは表面シンク強度の効果が考えられるが、未だ結論には至っていない。300℃での照射下測定においてもバルク試料では照射ON/OFF間でSパラメータの差異は見られず、更なる検討が必要である。
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