2005 Fiscal Year Annual Research Report
自己組織化半導体ナノロッドを用いた非蛍光標識型遺伝子トランジスタ
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17651070
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
田畑 仁 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (00263319)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐伯 洋昌 大阪大学, 産業科学研究所, 助手 (20362626)
松井 裕章 大阪大学, ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構, 特任助手(常勤) (80397752)
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| Keywords | IS-FET / DNA / 非蛍光修飾 / ナノロッド / バイオチップ / レーザーVLS法 |
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| Research Abstract |
自己組織化ボトムアップ手法による、ナノ構造制御・形成技術の確立に向けて
1.ZnOナノロッド形成技術の最適化
近年、ナノデバイス構築の実現に向けて、ナノワイヤー、ナノロッドのような1次元構造体の研究が盛んに行われている。現在までに、単体金属や化合物半導体の1次元構造が作製されているが、その殆どが、化学気相蒸着法(CVD法)により作製されたものである。遷移金属酸化物材料では、異方的結晶成長をすることで知られる酸化亜鉛(ZnO)のナノワイヤーがCVD法により作製されているが、ZnO以外の系での1次元構造作製の報告例は少ない。そこで本研究では、様々な化学種の材料のナノ構造作製に適用可能と期待されるパルスレーザー蒸着法(PLD法)を用い、遷移金属酸化物ナノロッドの創製を試みた。高温石英管中(600〜900℃)でレーザー蒸着したZnO試料のXRDパターンとSEM画像である。結果として、数百ナノメートルの径を有するZnOナノロッドが作製されていることが確認された。また、ナノロッドは、基板上の金蒸着した部分にのみ選択的に成長していることから、その成長機構はVLS(Vapor-Liquid-Solid)成長に基づき説明できると考えられる。
2.DNA分子鋳型による触媒金属微粒子配列制御
上記で得られたZnOナノロッドに光増感剤を付加し、光酸化的な細胞穿孔機能を発現させ、それを可逆的な大規模細胞操作へと応用する試みを実施した。
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