2005 Fiscal Year Annual Research Report
酸化亜鉛薄膜-電極薄膜界面及び酸酸化亜鉛薄膜の格子欠陥と構造に関する研究
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17760032
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| Research Institution | Kochi University of Technology |
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Principal Investigator |
松田 時宜 高知工科大学, 総合研究所, 助手 (30389209)
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| Keywords | 酸化亜鉛 / 酸化亜鉛・電極界面 / ショットキー障壁 / オーミック接触 / 格子欠陥 / 粒界 / 透明導電膜 / RFマグネトロンスパッタリング |
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| Research Abstract |
本研究は近年半導体として注目を浴びている酸化亜鉛をデバイスとして用いる際に重要となる酸化亜鉛-電極界面の物性を明らかにする事を目的としている。
酸化亜鉛についてはこの数年で高移動度TFTの活性層として有効性が実証され、アクティブマトリックス液晶ディスプレイ用のTFTアレイとそれを用いた液晶表示装置の原理実証が行われている。一方で金属をドーピングされた酸化亜鉛は透明導電膜としても注目をあびており、Agura et al., (2003)によって8.5×10E-5Ω・cm程度の抵抗率を実現したとの報告がある。しかし酸化亜鉛系透明導電膜についての報告の多くは膜厚が厚かったり、基板としてサファイアを使っていたり、大面積化に課題のある方法で成膜したりしており、実際のデバイスとして必要とされるようなガラス基板上における膜厚50〜100nm程度での研究はまだ十分ではない。
本年度はZnOを用いた高移動度トップゲート型TFTの活性層として使用可能なZnO薄膜をRFマグネトロンスパッタリングによってガラス基板上に成膜し、主にXRD及びホール測定によって評価を行った。同時にAlをドーピングしたZnO(AZO)もRFマグネトロンスパッタリングを用いてガラス基板上に成膜し、300nmも膜厚で1×10E-3Ω・cm程度の抵抗率を得ている。
今後、格子欠陥などの微細な構造も含めた酸化亜鉛の構造及び酸化亜鉛の表面また金属等との界面に関して研究を進めていく。
参考文献
T.Hirao, M Furuta, H.Furuta, T.Matsuda, T.Hiramatsu, H.Hokari, M.Yoshida, High-Mobility Top-Gate Zinc Oxide TFTs (ZnO-TFTs) for AMLCDs, (2006) To be published in Proc.SID2006
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