| Research Abstract |
Chip on Filmのため,両面銅張りポリイミドフイルムへの貫通ビア作製,貫通ビア部分へのアルミニウム真空蒸着によるフイルム表面,裏面の配線の接続,フイルム180度折り曲げ後の表面,裏面の配線の電気的接続の状態を確認した.
銅張りポリイミドフイルムは,信越化学工業社のKV25DE18Eを用いた.両面のCuの厚さは18μm,ポリイミド層の厚さは25μmである.貫通ビア,表面,裏面の配線パターンは,ガラスマスクとレジストによる紫外線露光,ウエットエッチングにより形成した.ガラスマスクは,Cadence社のVirtuosoで設計し,EB描画装置にて作製した.貫通ビアの形成は,東レエンジニアリング社のポリイミドエッチング液,TPE3000を用いた.最小サイズで,表側の孔直径が50μm,底面側の孔直径が25μmのテーパー状のポリイミド貫通ビアを開孔することができた.ポリイミドエッチング条件を調整することにより,テーパー状のビア開孔形状を得ることができた.孔のピッチは,表面で100μmである.配線の長さは,3mmである.真空蒸着装置にてアルミを貫通ビア部分に堆積し,フイルム表側の配線と裏面側の配線をアルミで接続した.テーパー状の孔形状のため,孔側壁にアルミを堆積することで,表面と裏面のCu配線をアルミで導通できた.
次に,上記で作製したフイルムを,2つのSiチップにポリイミドで貼り付け,180度折り曲げてフイルム表,裏面の配線の電気的接続が保たれていることを確認した.ここで,裏面の配線は,仮想的にSiチップ内の配線と考えることができる.
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