2006 Fiscal Year Annual Research Report
バンプレス接続によるチップオンフィルムとフィルム折曲げによる3D-SiPの作製
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17760281
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
池田 晃裕 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 助手 (60315124)
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| Keywords | Chip on film / ポリイミド / メタルマスク / バンプレス接続 |
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| Research Abstract |
昨年度までは,エッチング液によりポリイミドフィルムにコンタクトビアを開孔し,ビアの側壁にアルミを蒸着することで配線の電気的接続を行っていた.しかし,この方法ではコンタクトビアのアンダーカットで側壁へのアルミ蒸着がうまくいかない,あるいはコンタクトビア部分の段差のあるところへのレジストの塗布が均一に塗れないなどの問題があり,歩留まりが非常に悪かった.今年は,コンタクトビアを使ってSiチップとの導通をとるのではなく,ポリイミドフイルムの側壁を使ってSiチップ面とポリイミド配線の接続を試みた.作成方法は,幅3mm程度のポリイミドテープを2つのチップを接続するように貼り付け,自作したメタルマスクを使用して,ポリイミド上とチップ上のアルミ配線をスパッタで成膜した.コンタクトビアのように孔の内部に成膜するのではなく,片側が開いた状態にあるポリイミドフイルムの側壁に成膜するため,チップ面とポリイミド面の配線接続が確実である.またメタルマスクを用いるためレジスト工程が木要であり側壁の段差部分の配線パターン形成も容易である.
配線の寸法を測定したところ,ピッチ140um,配線幅70um,膜厚300nmのものを作成することができた.ポリイミドフィルム上の配線で接続した2つのSiチップ上の電極に針をあてて電気抵抗を測定したところ45Ωであった.電極間隔は4mmである.純粋なアルミの抵抗率は2.65E-8Ω・mであり,今回測定した配線の寸法では5Ω程度になるはずである.ポリイミド側壁の配線の膜厚が薄くなっていて,その部分で抵抗が増加しているのかもしれない.今後,アルミの膜厚を厚く付けて抵抗の低下を計る.また,メタルマスクもより小さな寸法のものを外注することで,配線ピッチの一層の微細化を図る.
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