2018 Fiscal Year Annual Research Report
Elucidation of gap structure and enhancement of critical current density in iron-based superconductors by swift-particle irradiations
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17H01141
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Research Institution | The University of Tokyo |
Principal Investigator |
為ケ井 強 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (30183073)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
岡安 悟 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 原子力科学研究所 先端基礎研究センター, 研究主幹 (50354824)
一瀬 中 一般財団法人電力中央研究所, 電力技術研究所, 上席研究員 (70371284)
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Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2022-03-31
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Keywords | 鉄系超伝導体 / 粒子線照射 / 臨界電流密度 / 超伝導ギャップ構造 |
Outline of Annual Research Achievements |
鉄系超伝導体を対象として、主にプロトンや重イオン等の高エネルギー粒子線照射により生成される欠陥を用いて、基礎面では超伝導発現機構に関連する超伝導ギャップ構造の解明を、応用面では臨界電流密度の増強を目指して研究を行い、以下の成果を得た。 1、プロトン照射したFeSeにおけるTcの特異な照射量依存性の発見。2、重イオン照射した(Ba,K)Fe2As2における磁場侵入長の測定結果がs±波超伝導による説明。3、FeSeにおける角度依存比熱測定による異方的な複数のギャップの存在の確認。4、スプレー状に柱状欠陥を導入した(Ba,K)Fe2As2における特異な臨界電流密度の増強の発見。5、EuFe2(As,P)2における超伝導と強磁性の共存状態の詳細解明。6、(Ba,K)Fe2As2丸型線材における大きな臨界電流密度の実現(38 kA/cm2, 4.2 K, 10 T)。7、BaFe2(As,P)2におけるプロトン照射効果の解明。8、CaKFe4As4単結晶における異方的臨界電流の解明。9、CaKFe4As4丸型線材の作製と臨界電流密度の評価。10、従来型超伝導体NbSe2における粒子線照射による臨界電流密度増大の確認。
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Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
11系および122系の鉄系超伝導体への粒子線照射効果をさらに解明するとともに、新たな構造を持つ鉄系超伝導体の磁束状態の解明および線材の作製を行えたと共に、従来型超伝導体における粒子線照射効果の研究に着手できたため。
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Strategy for Future Research Activity |
引き続き、粒子線照射による散乱体導入効果の検討によるギャップ構造の解明を他の鉄系超伝導体で継続するとともに、新たな鉄系超伝導体にける点状および柱状欠陥による増強されたピン止め機構を解明する。さらに、より実用的で大きな臨界電流密度を持つ丸型線材の開発を行う。さらに、各種従来型超伝導体における粒子線照射効果を詳細に検討する。
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Research Products
(48 results)
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[Journal Article] Multiple topological states in iron-based superconductors2019
Author(s)
P. Zhang, Z. J. Wang, X. X. Wu, K. Yaji, Y. Ishida, Y. Kohama, G. Y. Dai, Y. Sun, C. Bareille, K. Kuroda, T. Kondo, K. Okazaki, K. Kindo, X. C. Wang, C. Q. Jin, J. P. Hu, R. Thomale, K. Sumida, S. L. Wu, K. Miyamoto, T. Okuda, H. Ding, G. Gu, T. Tamegai, T. Kawakami, M. Sato, and S. Shin
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Journal Title
Nature Physics
Volume: 15
Pages: 41-47
DOI
Peer Reviewed / Int'l Joint Research
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[Journal Article] Large and significantly anisotropic critical current density induced by planar defects in CaKFe4As4 single crystals2019
Author(s)
Sunseng Pyon, Ayumu Takahashi, Ivan Veshchunov, Tsuyoshi Tamegai, Shigeyuki Ishida, Akira Iyo, Hiroshi Eisaki, Motoharu Imai, Hideki Abe, Taichi Terashima, Ataru Ichinose
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Journal Title
Physical Review B
Volume: 99
Pages: 104506_1-8
DOI
Peer Reviewed
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[Journal Article] Disorder-sensitive node-like small gap in FeSe2018
Author(s)
Yue Sun, Shunichiro Kittaka, Shota Nakamura, Toshiro Sakakibara, Peng Zhang, Shik Shin, Koki Irie, Takuya Nomoto, Kazushige Machida, Jingting Chen, and Tsuyoshi Tamegai
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Journal Title
Physical Review B
Volume: 98
Pages: 064505_1-7
DOI
Peer Reviewed / Int'l Joint Research
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[Presentation] Anomalous Enhancement of Critical Current Density due to Novel Planar Defects in CaKFe4As42018
Author(s)
T. Tamegai, A. Takahashi, S. Pyon, N. Ito, S. Ishida, A. Iyo, H. Eisaki, M. Imai, H. Abe, T. Terashima, S. Ooi, A. Ichinose
Organizer
M2S2018
Int'l Joint Research
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[Presentation] Effects of Ion-irradiation on critical current density in CaKFe4As4 single crystals2018
Author(s)
S. Pyon, A. Tahakashi, I. Veshchunov, N. Ito, T. Tamegai, S. Ishida, A. Iyo, H. Eisaki, M. Imai, H. Abe, T. Terashima
Organizer
M2S2018
Int'l Joint Research
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[Presentation] Evaluation of Anisotropic Critical Current Density in CaKFe4As42018
Author(s)
T. Tamegai, A. Tahakashi, S. Pyon, I. Veshchunov, S. Ishida, A. Iyo, H. Eisaki, M. Imai, H. Abe, T. Terashima, S. Ooi, and A. Ichinose
Organizer
ISS2018
Int'l Joint Research
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