Area Cultivation of Amorphous Electrides

2017 Fiscal Year Annual Research Report

• Project/Area Number: 17H01228
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 細野 秀雄 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (30157028)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 松石 聡 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 准教授 (30452006) ; 飯村 壮史 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (80717934) ; 金 正煥 東京工業大学, 元素戦略研究センター, 助教 (90780586)
• Project Period (FY): 2017-04-01 – 2018-03-31
• Keywords: アモルファス / エレクトライド / 薄膜

Outline of Annual Research Achievements

アモルファスC12A7エレクトライドの光学的・電気的性質を検討するために薄膜試料を作製した。具体的にはC１２A７エレクトライドの緻密なセラミックスターゲットをSPSで作製し、これを用いて高周波スパッターリングによってシリカガラス基板上に50-200nmの厚さの薄膜を堆積した。スパッターガスには１００％アルゴンを用いた。薄膜X線開設測定から試料はアモルファスであることを確認した。光学吸収を測定したところ、2eVと4eV付近に2つの吸収帯が観測された。結晶ではメインであった2eVの吸収帯は、アモルファス薄膜では強度が小さく,4eVバンドがメインとなった。その結果、アモルファス薄膜は透明性が高く、光学的用途には適していることが分かった。

Research Progress Status

29年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

29年度が最終年度であるため、記入しない。