2017 Fiscal Year Annual Research Report
サブミクロンスケール選択的金属化プロセスによる革新的3次元実装技術の開発
| Project/Area Number |
17H02769
|
|---|
| Research Institution | National Institute for Materials Science |
|---|
Principal Investigator |
三成 剛生 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 独立研究者 (90443035)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2020-03-31
|
| Keywords | プリンテッドエレクトロニクス / 有機半導体 / 有機トランジスタ |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
基板上の選択領域のみを金属化する配線形成技術として、表面との相互作用を用いて金属ナノ粒子を任意の位置に配列させる「表面選択塗布法」を確立した。短波長紫外光をある種の疎水性ポリマー表面にフォトマスクを介して照射すると、表面の化学反応によってその領域のみを親水化し、微細な親水・疎水性パターンを形成することができる。この表面に金属ナノ粒子のインクを塗布することで、親水部に自己組織化的にインクを集合させ、金属ナノ粒子を任意の位置に配列させることができる。我々は導電性分子を配位子とした常温導電性金属ナノインクを有しており、光照射とインクの塗布・乾燥工程はすべて室温で行うため、熱に弱いフレキシブル基板に対しても、一切の熱ひずみを生じることなく、微細な素子を正確に形成できようになった。また、今期は印刷配線の層間接合技術も開発し、微細な配線を簡便な印刷プロセスによって何層でも積層することが可能になった。さらに、もうひとつの自己組織化的な配線形成技術として「選択的無電解めっき」を開発した。基板上の任意の位置にのみ、正確に金属配線を形成できる。この技術で線幅1ミクロンを達成した。この結果より、既存の実装パッケージと比較しても精細度は非常に高いと言える。配線を形成した後に絶縁層を形成し、選択めっきを繰り返すことで、このプロセスによっても原理的には無限に積層を行うことが可能である。これらの方法は、3次元実装パッケージを形成する基盤技術となる。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
1: Research has progressed more than it was originally planned.
Reason
金属インクの印刷技術に加え、選択的めっき技術も開発し、有機トランジスタの形成も前倒しで進んでいる。
|
| Strategy for Future Research Activity |
3年間のプロジェクトではあるが、すべての計画を前倒しで推進し、2年目ですべての目標を達成する予定である。
|
Research Products
(23 results)
-
-
-
-
-
[Journal Article] Generating one-dimensional micro- or nano-structures with in-plane alignment by vapor-driven wetting kinetics2017
Author(s)
Chuan Liu, Xuying Liu, Yong Xu, Huabin Sun, Yun Li, Yi Shi, Michael V. Lee, Toshikazu Yamada, Tatsuo Hasegawa, Yong-Young Noh, Takeo Minari
-
Journal Title
Materials Horizons
Volume: 4
Pages: 259
DOI
Peer Reviewed / Int'l Joint Research
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
