2018 Fiscal Year Annual Research Report
サブミクロンスケール選択的金属化プロセスによる革新的3次元実装技術の開発
Project/Area Number |
17H02769
|
Research Institution | National Institute for Materials Science |
Principal Investigator |
三成 剛生 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 独立研究者 (90443035)
|
Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2020-03-31
|
Keywords | プリンテッドエレクトロニクス / 無電解めっき / 三次元実装 / 有機トランジスタ |
Outline of Annual Research Achievements |
既存の回路を1/10に縮小する新しい3次元実装の実現を目指し、フレキシブル材料に自在に配線が可能な「超高精細プリンテッドエレクトロニクス技術」の確立と、選択領域のみを金属化する「選択的無電解めっき技術」の開発を行った。 金属ナノインクによる印刷の微細化は、表面に形成した微細な親水・疎水領域によって実現した。親水・疎水領域の形成は、紫外光で親水性やと変化する絶縁ポリマーを塗布し、配線領域にのみ紫外光を照射することで行った。本技術で、線幅0.8ミクロンの配線技術を実現した。 選択的無電解めっき技術は、前記した絶縁ポリマー上の親水性領域のみにめっき触媒を吸着させることで行い、線幅1ミクロンまでの微細化を達成した。銅、ニッケルの無電解めっきをベースとし、ニッケル配線への置換めっきによる金配線や、銅/ニッケル/金の合金による配線も形成可能とした。特に、銅/ニッケル/金の合金配線は、有機トランジスタ素子の電極として優れていることが判明し、塗布技術を用いて作製した有機トランジスタ素子において移動度10cm2V-1s-1を達成した。
|
Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
当初の目標はほぼ達成し、プラスアルファの研究を行っている。
|
Strategy for Future Research Activity |
研究は順調に推移しているため、このままのペースで進める。
|
Research Products
(15 results)