Ferromagnetism and magnetoelectric cross-correlation in magnetic semiconductor (Ge,Mn)Te with broken inversion symmetry

2020 Fiscal Year Final Research Report

• Project/Area Number: 17H02770
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Research Field: Applied materials
• Research Institution: Institute of Physical and Chemical Research
• Principal Investigator: Taguchi Yasujiro 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, グループディレクター (70301132)
• Project Period (FY): 2017-04-01 – 2021-03-31
• Keywords: 強磁性 / 超伝導 / トポロジカル転移

Outline of Final Research Achievements

We have investigated ferromagnetism and superconductivity induced by doping various ions into GeTe with broken inversion symmetry. We succeeded in obtaining a ferromagnetic transition temperature higher than 200 K by doping Mn. In addition, high transition temperatures can be obtained by doping as many Mn ions as possible while keeping rhombohedral structure.
We also succeeded in inducing metal-semiconductor-superconductor transition by doping In into GeTe. It turned out that carrier type changes at a critical In concentration where the structure changes from rhombohedral to cubic, the superconductivity emerges in the region of electron-type carrier, and the valence state of In changes from 3+ to 1+.

Free Research Field

物性物理

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

磁性半導体の強磁性転移温度を増大するための戦略あるいは物質合成指針を提唱することに成功した。これによって、より高い転移温度の磁性半導体が開発され、スピントロニクスに応用されることによって、より低消費電力での革新的なエレクトロニクスの実現に資する可能性がある。
また、単純な2元系の超伝導体において価数スキップが生じて、超伝導転移温度の増大と関係している可能性を示した。これによって、高い超伝導転移温度を有する物質の設計・開発に資する可能性がある。