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2019 Fiscal Year Annual Research Report

Electron-spin-resonance characterization on interface defects at wide-gap semiconductor (SiC and GaN) MOS interfaces

Research Project

Project/Area Number 17H02781
Research InstitutionUniversity of Tsukuba

Principal Investigator

藤ノ木 享英 (梅田享英)  筑波大学, 数理物質系, 准教授 (10361354)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 岡本 光央  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (60450665)
Project Period (FY) 2017-04-01 – 2020-03-31
Keywords炭化ケイ素 / 窒化ガリウム / MOS界面 / 界面欠陥 / ダングリングボンド / 電子スピン共鳴 / 第一原理計算
Outline of Annual Research Achievements

4H-SiC MOS界面においては「PbCセンター」と名付けた炭素由来の界面欠陥/界面準位が重要であることが分かってきた。この欠陥の正体を明らかにするため、電流検出型電子スピン共鳴(EDMR)分光を使って微弱な13C核スピン超微細分裂の検出を試み、通常の電子スピン共鳴では4000日以上かかる検出に成功した。PbCセンターの高感度EDMRスペクトルからは炭素原子1サイト分の13C核スピン超微細分裂に加えて、Si原子3サイト分の29Si核スピン超微細分裂が同時に観測された。その結果、PbCセンターが界面に垂直な炭素ダングリングボンド欠陥(Si3≡C・、・は不対電子を表す)であることが確定した。この欠陥はSi(111)/SiO2界面のPbセンター(界面Siダングリングボンド欠陥、Si3≡Si・)によく似ている。さらに東京工業大学の松下雄一郎グループの第一原理計算(VASP+HSE06)との比較によって、PbCセンターが4H-SiC(0001)面の炭素アドアトム上に発生していることも明らかになった。以上の結果はAppl. Phys. Lett.誌(Vol.116, p.071604 (2020))にて発表され、Featured articleにも指定された。
PbCセンターはダングリングボンド欠陥なので、中性状態から電子、正孔のどちらも捕獲することができる。このためnチャネル、pチャネルの両方の4H-SiC MOSFETにおいて可動キャリアの減少を招き、これが移動度劣化につながる。界面窒化によってPbCセンターは急速に減少するが、窒化時間が10分を超えて60分、120分になると2種類の窒素関連欠陥が発生することが明らかになった。これらはEDMR解析の結果から、Kセンター(N3≡Si・)とincomplete K center(C2N1≡Si・)である可能性が高いことが分かった。

Research Progress Status

令和元年度が最終年度であるため、記入しない。

Strategy for Future Research Activity

令和元年度が最終年度であるため、記入しない。

  • Research Products

    (14 results)

All 2020 2019 Other

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results) Presentation (8 results) (of which Int'l Joint Research: 5 results) Remarks (2 results)

  • [Journal Article] Electrically detected magnetic resonance study on interface defects at nitrided Si-face, a-face, and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces2020

    • Author(s)
      E. Higa, M. Sometani, H. Hirai, H. Yano, S. Harada, T. Umeda
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 116 Pages: 171602

    • DOI

      doi.org/10.1063/5.0002944

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Electron-spin-resonance and electrically detected-magnetic-resonance characterization on PbC center in various 4HSiC(0001)/SiO2 interfaces2020

    • Author(s)
      T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, T. Okuda, T. Kimoto, T. Hosoi, H. Watanabe, M. Sometani, S. Harada
    • Journal Title

      Journal of Applied Physics

      Volume: 127 Pages: 145301

    • DOI

      doi.org/10.1063/1.5134648

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Carbon dangling-bond center (carbon Pb center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface2020

    • Author(s)
      T. Umeda, T. Kobayashi, M. Sometani, H. Yano, Y. Matsushita, S. Harada
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 116 Pages: 971604

    • DOI

      doi.org/10.1063/1.5143555

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Electrically detected-magnetic-resonance identifications of defects at 4H-SiC(000 )/ SiO2 interfaces with wet oxidation2020

    • Author(s)
      T. Umeda, Y. Kagoyama, K. Tomita, Y. Abe, M. Sometani, M. Okamoto, S. Harada, T. Hatakeyama
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 115 Pages: 151602

    • DOI

      doi.org/10.1063/1.5116170

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Carbon Pb center (the PbC center) at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface2019

    • Author(s)
      T. Umeda, Y. Nakano, E. Higa, H. Yano, M. Sometani, S. Harada
    • Organizer
      30th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: An EDMR study2019

    • Author(s)
      T. Umeda, T. Kobayashi, Y. Matsushita, E. Higa, H. Yano, M. Sometani, S. Harada
    • Organizer
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] The PbC (carbon dangling bond) center at 4H-SiC(0001)/SiO2 interface: A first-principles study2019

    • Author(s)
      T. Kobayashi, T. Umeda, Y. Matsushita
    • Organizer
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Identifications of major and minor interface defects at C-face 4H-SiC/SiO2 interfaces with wet oxidation2019

    • Author(s)
      T. Umeda, Y. Kagoyama, K. Tomita, Y. Abe, M. Sometani, M. Okamoto, T. Hatakeyama, S. Harada
    • Organizer
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Electrically-detected-magnetic-resonance study on interface defects at a-face and m-face 4H-SiC/SiO2 interfaces2019

    • Author(s)
      E. Higa, M. Sometani, S. Harada, H. Yano, T. Umeda
    • Organizer
      International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] C面4H-SiCウェット酸化の特殊性と界面欠陥:EDMR分光からの知見2019

    • Author(s)
      梅田享英,鹿児山陽平,富田和輝,阿部裕太, 岡本光央,畠山哲夫,原田信介
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] C面窒化4H-SiC/SiO2界面の電流検出型電子スピン共鳴分光2019

    • Author(s)
      成ケ澤雅人,比嘉栄斗,染谷満, 畠山哲夫,原田信介,梅田享英
    • Organizer
      第80回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 4H-SiC Si面・a面・m面界面欠陥の電流検出型電子スピン共鳴分光法による評価2019

    • Author(s)
      比嘉栄斗,染谷満,原田信介,矢野裕司,梅田享英
    • Organizer
      第6回先進パワー半導体分科会講演会
  • [Remarks] 電子スピン共鳴分光研究室(筑波大学・梅田研究室)

    • URL

      http://esrlab.bk.tsukuba.ac.jp/

  • [Remarks] EPR in Semiconductors

    • URL

      http://esrlab.bk.tsukuba.ac.jp/div-media/epr/

URL: 

Published: 2021-01-27  

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