2019 Fiscal Year Annual Research Report
Creation of artificial nano strain control technology of flexible electrical material for energy harvesting
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17H03239
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| Research Institution | Seikei University |
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Principal Investigator |
三浦 正志 成蹊大学, 理工学部, 教授 (10402520)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
神原 陽一 慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 准教授 (50524055)
一野 祐亮 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (90377812)
小黒 英俊 東海大学, 工学部, 講師 (90567471)
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| Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| Keywords | 超伝導 / ひずみ / 磁場中臨界電流 / ナノ粒子 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、ナノひずみ制御によるエネルギー回収型発電応用を目的に、電気機能性材料の特性低下要因であったひずみを積極的に母相内にナノスケールで導入する技術を確立し、フレキシブル電気材料の超伝導特性等の特性を飛躍的に向上させることを目指した。2017年度には、化学ドーピングによる銅酸化物系及び鉄系超伝導超伝導薄膜線材のc軸方向へのナノひずみ制御技術開発を行った。2018年度には、ナノ異相導入によるc軸方向へのひずみ制御技術の確立を実施し、ひずみが電気特性に及ぼす影響を明らかにした。2019年度には、これまで培ってきた「ナノ異相導入技術」と本課題で実施する「ひずみ制御技術」を融合し電気材料の特性を飛躍的に向上に成功した。3年間の業績として査読付き学術論文17報、国際学会39件、国内学会29件で研究成果を発表した。
2019年度には成蹊大学が母相に対してナノ異相導入技術とひずみ制御技を融合し、それらが」超伝導相のキャリア濃度や磁場中超伝導特性に及ぼす影響について検討した。成蹊大学では、MOD法を用いて作製した超伝導薄膜へのインコヒーレントナノ粒子の導入に伴うc軸方向のひずみが電気特性に影響することを明らかにした。それによりさらに磁場中電気特性が向上することが分かってきた。名古屋大学では、PLD法により作製した超伝導体に導入したコヒーレントナノロッドの成長メカニズムに関してのシミュレーションを用いて解析した。慶應義塾大学では、REBCO超伝導薄膜へのアニオン置換としてCuサイトへのプロトン置換を検討した。東海大学は、フレキシブル金属基板上に作製した超伝導薄膜に、機械的に圧力や曲げひずみを加えることで結晶にひずみを印加し、それらが電気特性の磁場印加角度依存性に及ぼす影響を明らかにした。
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| Research Progress Status |
令和元年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
令和元年度が最終年度であるため、記入しない。
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[Journal Article] Superconducting transition temperatures in the electronic and magnetic phase diagrams of Sr2VFeAsO3, a superconductor2019
Author(s)
Y. Tojo, T. Shibuya, T. Nakamura, K. Shoji, H. Fujioka, M. Matoba, S. Yasui, M. Itoh, S. Iimura, H. Hiramatsu, H. Hosono, S. Hirai, W. Mao, S. Kitao, M. Seto, Y. Kamihara
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Journal Title
J. Phys.: Condens. Matter 3
Volume: 31
Pages: 115801
Peer Reviewed
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