2018 Fiscal Year Annual Research Report
Investigation of novel methods of controlling output power with stable wavelength operation and modulation bandwidth enhancement by long-wavelength transistor lasers
| Project/Area Number |
17H03247
|
|---|
| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
西山 伸彦 東京工業大学, 工学院, 准教授 (80447531)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2020-03-31
|
| Keywords | 半導体 / InP / トランジスタレーザ / フォトニックネットワーク |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
平成30年度は、29年度に明らかになった設計指針に基づき、素子の寄生容量の低減のための構造設計やプロセスについて取り組んだ。寄生容量低減のためには、共振器の短共振器化およびストライプ幅の縮小が必要となってくる。
まず短共振器化に関しては、ブレーカーのプレーキング条件の最適化とともに、プレーキングの際に設置するマウントテープの種類の選定や剥離の際の剥がれを良好にするためのUV照射条件の検討を行った。その結果、従来よりも短い共振器長でのプレーキングが可能となった。また、短共振器化した場合、端面へのHigh Reflection (HR)コーティングが必要になってくるため、誘電体スパッタ装置でのSiO2/TiO2積層でのDBRを作製し、反射率60%を得ることに成功した。また、実際の素子形状バーの端面を電子顕微鏡で観測した結果、良好な反射鏡形成を確認することが出来た。
ストライプ幅の縮小に関しては、これまでアライメントトレランスを考慮し最小ストライプ幅が決定されてきた。これを解決するため、高精度なアライメントが可能なマスクレス露光装置を導入した。プロセス上で必要になる複数のフォトレジストを利用し、露光条件の検討を行った。その結果、従来に比べて最小ストライプ幅を減少することが出来ることを明らかにした。
以上の結果を用いて素子作製を行ったが、良好な電流―電圧特性を得ることに成功したものの、残念ながら発振動作を得ることはできなかった。次年度に向け原因追及を行っていく。
|
| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
プロセス条件出しは行うことが出来たが、実際の素子作製に失敗し、期待する結果が得られなかったため。現在発振特性を得られなかった理由を検討中である。
|
| Strategy for Future Research Activity |
原因不明の素子不良を減らすため、プロセス途中での記録を徹底するようにプロセスレシピを修正することを検討する。
|
