2018 Fiscal Year Annual Research Report
イオン散乱照射を利用した超高効率エネルギー機能材料の創生
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17H04980
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| Research Institution | Kwansei Gakuin University |
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Principal Investigator |
尾崎 壽紀 関西学院大学, 理工学部, 講師 (20756663)
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| Project Period (FY) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| Keywords | イオン照射 / 薄膜 / ナノ構造 / エネルギー機能材料 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
超伝導材料の高機能化に向けて、イオン照射によって形成される照射欠陥と超伝導特性の変化を明らかにし、結晶欠陥などのナノ構造を制御することで超伝導特性を飛躍的に向上させることを目的に研究を行った。
平成30年度は、低エネルギーでの軽イオン照射が鉄系超伝導体FeSe0.5Te0.5(FST)薄膜に及ぼす影響を調べた。具体的には、H+イオンを190 keVという低いエネルギーで照射したFST薄膜の臨界電流特性Jcと不可逆磁場Hirr及び上部臨界磁場Hc2の異方性について調べた。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
照射したFST薄膜のJcの異方性は、未照射薄膜と比較して、4.2 K、15 Tで約1/2になることがわかった。また、照射したFST薄膜のHc2の異方性はTc近傍では約3.5であったが、温度の低下に伴い、異方性は低下することがわかった。低エネルギー軽イオン照射による超伝導特性の異方性を明らかにできたため、達成度としてはおおむね順調に進展していると判断した。
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| Strategy for Future Research Activity |
平成31年度は、銅酸化物超伝導薄膜におけるJcの更なる向上を目指して、Arイオンの照射密度や照射エネルギーがTcとJcに及ぼす影響を系統的に調べ、透過型電子顕微鏡(TEM)等による微細構造観察を行うことでイオン照射条件と超伝導特性および形成される結晶欠陥・格子歪みの関係を明らかにする。また、トポロジカル超伝導薄膜へのイオン照射効果も調べる。
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