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2018 Fiscal Year Research-status Report

集積型ヘルスケアチップ実現に向けた溶液ゲートタイプのグルコースセンサーの開発

Research Project

Project/Area Number 17K06472
Research InstitutionOsaka Institute of Technology

Principal Investigator

小池 一歩  大阪工業大学, 工学部, 教授 (40351457)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 小山 政俊  大阪工業大学, 工学部, 講師 (30758636)
Project Period (FY) 2017-04-01 – 2020-03-31
Keywordsバイオセンサー / グルコースセンサー / 酵素固定化 / シランカップリング / 長鎖アミノシラン
Outline of Annual Research Achievements

前年度に引き続き、拡張ゲートFETを用いたグルコースセンサーの開発を進めた。まず、シリコンMOSFETのゲート端子に熱酸化処理を施したチタン電極(拡張ゲート電極)を接続し、その表面にグルコース酸化酵素の固定化を行った。ここで、酵素を固定化する直前に、酸化膜表面に自己単分子膜が形成されやすい長鎖アミノシラン分子を用いてシランカップリング処理を施した。これによって、拡張電極表面に酵素が強固に固定化され、これまで課題であった被検液に長時間晒すと酵素膜が剥がれるという問題が解消された。作製したグルコースセンサーの性能を詳しく調べたところ、センサーの検出可能な濃度範囲が、0.005~0.5mg/mLであることが判明した。この濃度範囲は、血液や尿中に含まれるグルコース濃度を一桁以上下回り、汗や唾液に含まれる低濃度に対応している。1ヶ月の間、繰り返し測定を行ったところ、センサーの感度がほぼ保たれることも明らかにあった。現在、包括法を用いてより多くの酵素を安定して固定化する技術も開発中である。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

長鎖アミノシラン分子を用いたシランカップリング処理によって、拡張ゲート表面に酵素を強固に固定化できるようになった。これにより、測定中に酵素が剥がれることなく、長時間、繰り返しグルコースを検出することが可能になった。このことから、概ね順調に進んでいると判断した。

Strategy for Future Research Activity

実用レベルのセンサーを実現するため、試作したグルコースセンサーの耐環境特性を調べる。3次元的に酵素を固定化できる包括法を用いて、より多くの酵素を安定して固定化する技術を開発する予定である。引き続き、非真空プロセスによるミスト化学気相成長法で酸化物薄膜を作製する技術も開発し、センサーの母体材料としての可能性を調べる予定である。

Causes of Carryover

前年度に、酵素を固定化するためのシランカップリング剤を共同研究先から無償で提供いただいたことや学術指導者の人件費を抑えたことから、予定よりも支出が少なくなった。その分を次年度に繰り越して、主に材料費に予算を充当して計画的に執行する予定である。

  • Research Products

    (30 results)

All 2019 2018 Other

All Journal Article (7 results) (of which Peer Reviewed: 7 results) Presentation (21 results) (of which Int'l Joint Research: 5 results) Remarks (2 results)

  • [Journal Article] Gas sensing characteristics of a WO3 thin film prepared by a sol-gel method2018

    • Author(s)
      Mitsuaki Yano, Tomoya Iwata, Satoshi Murakami, Ryouma Kamei, Taichi Inoue, Kazuto Koike
    • Journal Title

      Proceedings

      Volume: 2-13 Pages: 723-1 - 723-5

    • DOI

      https://doi.org/10.3390/proceedings2130723

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] High-mobility single-crystalline WO3 epitaxial films grown on LSAT substrates2018

    • Author(s)
      H. Mito, R. Nakamura, K. Koike, S. Sasa, M. Yano, S. Kobayashi, K. Inaba
    • Journal Title

      IEEE Xplore

      Volume: IMFEDK 2018 Pages: 46 - 47

    • DOI

      10.1109/IMFEDK.2018.8581977

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] 塗布熱分解法で成膜したWO3のNOガス検出特性2018

    • Author(s)
      岩田 知也,村上 聡,亀井 龍真,小池 一歩,大松 繁,矢野 満明
    • Journal Title

      電気学会第35回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム講演論文集

      Volume: 30am3-PS-51 Pages: 1~5

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] 長鎖アミノシランを用いて酵素を固定化した拡張ゲート電界効果トランジスタのグルコース検出特性2018

    • Author(s)
      大西勇輔,池 広大,小山真由子,広藤裕一,中村吉伸,小池一歩,矢野満明
    • Journal Title

      電気学会第35回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム講演論文集

      Volume: 30am3-PS-63 Pages: 1~6

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Electrochromic properties of epitaxial WO3 thin films grown on sapphire substrates2018

    • Author(s)
      Mitsuaki Yano, Wataru Kuwagata, Hiroki Mito, Kazuto Koike, Shintaro Kobayashi, Katsuhiko Inaba
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 57 Pages: 100309, 1-4

    • DOI

      https://doi.org/10.7567/JJAP.57.100309

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] ゾルゲル法を用いた三酸化タングステン薄膜の作製と評価2018

    • Author(s)
      小池一歩,村上聡,岩田知也,亀井龍真,矢野満明
    • Journal Title

      材料

      Volume: 67-9 Pages: 849~853

    • DOI

      https://doi.org/10.2472/jsms.67.853

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] フレキシブル基板上に形成した酸化亜鉛薄膜トランジスタの曲げ耐性評価2018

    • Author(s)
      永山幸希,松田宗平,カルトシュタインオリバー,大浦紀頼,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦
    • Journal Title

      表面と真空

      Volume: 61-5 Pages: 274~279

    • DOI

      https://doi.org/10.1380/vss.61.274

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] ガスセンサー応用に向けたMoS2トランジスタの作製と電気特性2019

    • Author(s)
      前田翔児,C. J. Perini,金子豊和,寺澤大樹,福田昭,小山政俊,藤元章,原田義之,小池一歩,矢野満明,E. M. Vogel
    • Organizer
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] ミストCVD法による 3C-SiC(111)テンプレート基板上へのε-Ga2O3薄膜の成長2019

    • Author(s)
      藤原壮大,金子豊和,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦
    • Organizer
      日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門 第1回講演会・見学会
  • [Presentation] 対向ターゲット式スパッタリング法によるHf0.5Zr0.5O2薄膜の作製2019

    • Author(s)
      河本泰輝,大田宗司,森口乃理子,小池一歩,矢野満明,中光豊,門倉貞夫
    • Organizer
      日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門 第1回講演会・見学会
  • [Presentation] 溶液塗布熱分解法によるHf0.5Zr0.5O2薄膜の作製2019

    • Author(s)
      井上泰一,亀井龍真,中村領太,小池一歩,矢野満明
    • Organizer
      日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門 第1回講演会・見学会
  • [Presentation] ミスト化学気相堆積法によるWO3薄膜の成長2019

    • Author(s)
      亀井龍真,井上泰一,小山政俊,小池一歩,矢野満明
    • Organizer
      日本材料学会 半導体エレクトロニクス部門 第1回講演会・見学会
  • [Presentation] 絹フィブロインで酵素を固定化した拡張ゲートFET型グルコースセンサの開発: 高感度・高耐久測定の実現2018

    • Author(s)
      池 広大, 大西 勇輔, 広藤 裕一, 小池 一歩, 矢野 満明
    • Organizer
      第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第2回研究会
  • [Presentation] ミストCVD法によって成長した (111) 3C-SiC テンプレート基板上 ε-Ga2O3 薄膜の熱的安定性2018

    • Author(s)
      金子豊和,藤原壮大,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦
    • Organizer
      電気関係学会関西連合大会
  • [Presentation] GaSb/InAsヘテロ接合を用いた高強度テラヘルツ放射の研究2018

    • Author(s)
      大橋亮太,島田乃地,巽雅史,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦
    • Organizer
      電気関係学会関西連合大会
  • [Presentation] GaSb/InAsヘテロ接合を用いた1.55 μmでの高強度放射THz素子の開発2018

    • Author(s)
      島田乃地,大橋亮太,巽雅史,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦
    • Organizer
      電気関係学会関西連合大会
  • [Presentation] 酸化物半導体を用いたフレキシブル薄膜トランジスタの室温形成と曲げ耐性評価2018

    • Author(s)
      熊谷敏宏,大浦紀頼,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦
    • Organizer
      電気関係学会関西連合大会
  • [Presentation] 長鎖アミノシランを用いて酵素を固定化した拡張ゲート電界効果トランジスタのグルコース検出特性2018

    • Author(s)
      大西 勇輔,池 広大,小山 真由子,広藤 裕一,中村 吉伸,小池 一歩,矢野 満明
    • Organizer
      第35回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム(センサ・マイクロマシン部門大会)
  • [Presentation] 塗布熱分解法で成膜したWO3のNOガス検出特性2018

    • Author(s)
      岩田 知也,村上 聡,亀井 龍真,小池 一歩,大松 繁,矢野 満明
    • Organizer
      第35回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム(センサ・マイクロマシン部門大会)
  • [Presentation] 絹フィブロインで酵素を固定化した拡張ゲートFETのグルコース検出特性2018

    • Author(s)
      池 広大,大西 勇輔,広藤 裕一,小池 一歩,矢野 満明
    • Organizer
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] ミストCVD法による 3C -SiC(111)テンプレート基板へのε-Ga2O3ヘテロエピタキシャル成長2018

    • Author(s)
      金子豊和,藤原壮大,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦
    • Organizer
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 溶液法により形成したAl添加ZnO-TFTの特性評価と基板依存性2018

    • Author(s)
      大浦 紀頼,小山政俊,前元利彦,佐々誠彦
    • Organizer
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 高純度ZnO中のSRH型輻射再結合中心の起源と捕獲断面積2018

    • Author(s)
      秩父重英,小島一信,小池一歩,矢野満明,權田俊一,石橋章司,上殿明良
    • Organizer
      応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] The origin and properties of intrinsic nonradiative recombination centers in the bulk and epitaxial ZnO2018

    • Author(s)
      S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Koike, M. Yano, S. Gonda, S. Ishibashi, A. Uedono
    • Organizer
      10th International Workshop on ZnO
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Gas sensing characteristics of a WO3 thin film prepared by a sol-gel method2018

    • Author(s)
      Mitsuaki Yano, Tomoya Iwata, Satoshi Murakami, Ryouma Kamei, Taichi Inoue, Kazuto Koike
    • Organizer
      EUROSENSORS 2018
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] High-mobility single-crystalline WO3 epitaxial films grown on LSAT substrate2018

    • Author(s)
      Hiroki Mito, Ryota Nakamura, Kazuto Koike, Shigehiko Sasa, Mitsuaki Yano
    • Organizer
      The 2018 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Enhanced Terahertz Radiation from GaSb/InAs Heterostructures2018

    • Author(s)
      Shigehiko Sasa, Masashi Tatsumi, Youhei Kinoshita, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, Iwao Kawayama, Masayoshi Tonouchi
    • Organizer
      IRMMW-THz 2018
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on (111) 3C-SiC templates by mist chemical vapor deposition2018

    • Author(s)
      Toyokazu Kaneko, Soudai Fujiwara, Masatoshi Koyama, Toshihiko Maemoto, Shigehiko Sasa
    • Organizer
      International Symposium on Transparent Conductive Materials
    • Int'l Joint Research
  • [Remarks] 大阪工業大学 地域産業支援プラットホーム

    • URL

      http://www.oit.ac.jp/oitp/

  • [Remarks] 大阪工業大学 ナノ材料マイクロデバイス研究センター

    • URL

      http://www.oit.ac.jp/japanese/nanotech/

URL: 

Published: 2019-12-27  

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