Electrical characterization of the BaSi2/Si heterojunction fabricated by rapid thermal evaporation

2020 Fiscal Year Final Research Report

• Project/Area Number: 17K14657
• Research Category: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Research Field: Electronic materials/Electric materials
• Research Institution: University of Yamanashi
• Principal Investigator: HARA Kosuke 山梨大学, 大学院総合研究部, 助教 (40714134)
• Project Period (FY): 2017-04-01 – 2021-03-31
• Keywords: シリサイド半導体 / 真空蒸着 / 太陽電池

Outline of Final Research Achievements

We revealed that oxygen impurity is incorporated around the film/substrate interface in the BaSi2 films fabricated by rapid thermal evaporation. Process improvement to reduce oxygen concentration improved the rectification behavior of the n-BaSi2/p+-Si diodes. Another finding is that carrier density in the BaSi2 evaporated films decreases by reducing composition deviation under thermal equilibrium. This is a useful guide to controlling electrical properties. We also investigated solar cell characteristics of the n-BaSi2/p+-Si diodes, which did not show power generation, whereas the p-SnS/n-BaSi2 heterojunction worked as a solar cell for the first time. In addition, the close-spaced evaporation method was developed, which is scalable to large area deposition. Highly crystalline films with large single-orientation areas were obtained.

Free Research Field

電気電子材料工学

Academic Significance and Societal Importance of the Research Achievements

BaSi2は太陽電池に適した物性を有しており、現在よりも安価で高効率な太陽電池を実現するポテンシャルを持っている。これを実現するためには、高品質な薄膜を高い生産性で作製できる手法が不可欠である。高速熱蒸着法は高速かつ簡便な手法であるが、薄膜の品質に課題があった。本研究により、界面近傍酸化や組成ずれなどの課題を特定し、改善する方法を解明することができた。そして、効率は低いものの太陽電池による発電も確認した。さらに高速熱蒸着法を発展させた新手法の開発にも成功した。これらの成果は、BaSi2による安価で高効率な太陽電池を実現する上で重要な進展である。