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2017 Fiscal Year Research-status Report

ドメイン・相共存を利用した蛍石型強誘電体の機能創発

Research Project

Project/Area Number 17K14807
Research InstitutionTokyo Institute of Technology

Principal Investigator

清水 荘雄  東京工業大学, 物質理工学院, 助教 (60707587)

Project Period (FY) 2017-04-01 – 2019-03-31
Keywordsハフニウム酸化物
Outline of Annual Research Achievements

初年度にあたる平成29年度は、(1)HfO2基エピタキシャル薄膜における方位依存性のほか、(2)HfO2基エピタキシャル薄膜の相転移温度についての調査、また(3)HfO2基薄膜におけるドメインスイッチングについて検討した。
(1) HfO2基エピタキシャル薄膜における方位依存性については、(111)イットリア安定化ジルコニア上に成長させたHfO2基エピタキシャル薄膜について、種々の組成や膜厚に対して斜方晶構造が安定化する要因について検討を行った。実験の結果、これまでに報告した(100) イットリア安定化ジルコニア基板上の薄膜と比べると組成及び膜厚ともに狭い範囲において強誘電相である斜方晶相が安定化することが分かった。また、バッファー層による影響を調べた結果、歪の緩和状態によって安定性が変化することも明らかになった。
(2) HfO2基エピタキシャル薄膜の相転移温度についての調査については、高温X線回折によって種々の温度で結晶構造を調べることによって行った。その結果、HfO2基薄膜が5nm程度という極膜厚においても300℃以上の高いキュリー温度を持っていることが分かった。
(3)HfO2基薄膜におけるドメインスイッチングについては、電圧印可によって結晶軸がどのように変化するかについて、微小領域X線回折を用いて調査した。その結果、電圧印可前後で基板面直方向の結晶軸が非分極軸から分極軸に変化していることを明らかにすることができた。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

エピタキシャル薄膜の組成・膜厚依存性やキュリー温度は、相の安定性を操作する本研究において重要な因子であると考えられ、この調査ができたことは今後の研究に有用であるといえる。また。ドメインスイッチングは重要な電場誘起構造変化であり、これを利用することでさらなる特性発現が期待できる。

Strategy for Future Research Activity

今後は、キュリー温度を室温付近まで低下させることによって、室温付近で相転移を示す材料の設計・作製に取り組む。このことによって、電場誘起相転移を引き起こし、巨大な誘電応答・電気会応答の発現に取り組んでいきたいと考えている。

Causes of Carryover

当初予定していた装置の購入を検討したが、学内にて継続して使用できるめどが立ったため。

  • Research Products

    (6 results)

All 2018 2017

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (4 results) (of which Int'l Joint Research: 1 results,  Invited: 1 results)

  • [Journal Article] Stability of the orthorhombic phase in (111)-oriented YO1.5-substituted HfO2 films2018

    • Author(s)
      Takao Shimizu, Kiliha Katayama, Hiroshi Funakubo
    • Journal Title

      Journal of the Ceramic Society of Japan

      Volume: 126 Pages: 269~275

    • DOI

      10.2109/jcersj2.17247

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Dynamic observation of ferroelectric domain switching using scanning nonlinear dielectric microscopy2017

    • Author(s)
      Yoshiomi Hiranaga, Takanori Mimura, Takao Shimizu, Hiroshi Funakubo, Yasuo Cho
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 56 Pages: 10PF16~10PF16

    • DOI

      10.7567/JJAP.56.10PF16

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Domain switching in epitaxial ferroelectric HfO2 films2018

    • Author(s)
      T. Shimizu, T. Mimura, T. Kiguchi, T. Shiraishi, A. Akama, T. J. Konno, O. Sakata, K. Yoshio, H. Funakubo
    • Organizer
      2018 Conference on Electronic and Advanced Materials
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] HfO2基材料薄膜における強誘電性に関する研究2018

    • Author(s)
      清水荘雄
    • Organizer
      日本セラミックス協会 2018年年会
    • Invited
  • [Presentation] HfO2基材料における強誘電相発現要因の検討2017

    • Author(s)
      清水荘雄、三村和仙、木口賢紀、赤間章裕、今野豊彦、坂田修身、舟窪浩
    • Organizer
      日本セラミックス協会第30回秋季シンポジウム
  • [Presentation] HfO2基強誘電体のドメイン構造と電場誘起スイッチング”、第37回エレクトロセラミックス研究討論会2017

    • Author(s)
      清水荘雄、三村和仙、木口賢紀、白石貴久、赤間章裕、今野豊彦、坂田修身、勝矢良雄、舟窪浩
    • Organizer
      第37回エレクトロセラミックス研究討論会

URL: 

Published: 2018-12-17  

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