2008 Fiscal Year Self-evaluation Report
Semiconductor Nanowire Electronics by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy
| Project/Area Number |
18002003
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
Mathematics and Physics
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| Research Institution | Hokkaido University |
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Principal Investigator |
FUKUI Takashi Hokkaido University, 大学院・情報科学研究科, 教授 (30240641)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2010
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| Keywords | ナノワイヤ / 化合物半導体 / 結晶成長 / 1次元物性 / 磁性体 |
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| Research Abstract |
有機金属気相選択成長法を用いて半導体ナノワイヤの形成技術を確立し、その成長機構、結晶構造の解明を行いつつ、ナノワイヤの電子物性・光物性・磁性に関する基礎特性を明らかにしナノワイヤを用いたトランジスタや光素子を試作することでナノワイヤのエレクトロニクス応用への可能性を探索する。具体的には、以下4つの分担研究課題を設けそれぞれの目標を達成する。
(1)結晶成長・結晶工学
ナノワイヤ成長機構、結晶構造相転移の解明
(2)光物性・光デバイス
光学物性把握と光素子への応用展開
(3)電子物性・電子デバイス
1次元的電気伝導の評価、トランジスタ試作
(4)新材料系ナノワイヤ
強磁性材料によるヘテロ接合ナノ構造形成
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