2007 Fiscal Year Annual Research Report
非線形誘電率顕微鏡を用いた次世代超高密度強誘電体記録
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18002005
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
長 康雄 Tohoku University, 電気通信研究所, 教授 (40179966)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
廣瀬 龍介 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (60422143)
平永 良臣 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (70436161)
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| Keywords | 走査型非線形誘電率顕微鏡 / 強誘電体 / ドメイン / 強誘電体記録 / 超高密度記録 / プローブメモリ |
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| Research Abstract |
ナノドメインマニピュレーション専用SNDMの開発を開始した.本装置は1ナノメートルの繰り返し精度でピンポイントに媒体の特定部を狙う,ドメインマニピュレーションを正確に行うのに十分な位置決め精度があるSNDM装置であり,位置補正無しで0.18nm/分のドリフトに対する基本性能を持つことが確認された.更に新開発のマーク検出によるドリフト補正機能を作動させると,有意な位置ずれは検出されなかった.
開発直後で,試運転中の状態であるが,この装置を用いて世界最小の2.8nmφの単一ドメインドットの生成に成功した.更に直径7nmのナノドメインドットアレイの形成及び15nmφのドメインドット列の生成・消去実験にも成功している.
また上記のほんの少数のドットではなく,多数の記録ビットからなる実情報記録に置いて強誘電体記録では世界最高の3Tbit/inch^2(まだエラー数は多いが)の達成した.
次に書き込み速度に関しては回転ディスク型(HDD型)記録再生装置を用いて,実際の書き込み動作を行うことによって10Mbpsの高速性を実証した.
更に,顕微鏡技術として開発された非接触SNDM(nc-SNDM)法を実際のHDD型記録再生装置に適用し非接触読み取りの動作確認実験を行った.今回は先端半径25μmの探針を使用したスケールアップ実験ではあるが,実際にアクティブに空隙を制御しながら分極を書込読みとりに成功した.
また印加電圧がまだまだ大きいがHDD型再生装置に置いて(これもスケールアップ実験であるが)1Mbpsの再生に成功した.
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Research Products
(25 results)
