Strongly correlated quantum phase associated with charge fluctuation

2008 Fiscal Year Self-evaluation Report

• Project/Area Number: 18002008
• Research Category: Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
• Allocation Type: Single-year Grants
• Review Section: Science and Engineering; Mathematics and Physics
• Research Institution: Niigata University
• Principal Investigator: GOTO Terutaka Niigata University, 自然科学系, 教授 (60134053)
• Project Period (FY): 2006 – 2010
• Keywords: 電気四極子 / 超音波 / 強相関量子相 / 希土類化合物 / カゴ状化合物 / ラットリング / シリコン / 原子空孔

Research Abstract

これまでの強相関物理学では,帯磁率や中性子散乱などの磁気計測を用いた,電子スピン間の相互作用に由来する磁気秩序の研究や,スピン揺らぎと伝導電子の結合による近藤効果などの研究が,主要なテーマであった。本研究では,電荷揺らぎに由来する新しい強相関量子相の研究を目的としている。局在電子,オフセンター振動,原子空孔の電荷揺らぎは明確な対称性を備え周囲の格子歪みと結合するので,後藤らが開発してきた超音波計測を用いることで電荷揺らぎを直接観測することが可能である。本研究では,極低温での超音波計測を駆使し,局在4f電子,カゴ状化合物でのオフセンター振動,シリコン結晶中での原子空孔などの電荷揺らぎに由来する強相関量子相の研究を推進する。

Research Products

• [Journal Article] Quadrupole Ordering in Clathrate Compound Ce_3Pd_<20>Si_6 (2009)
  • Author(s): T. Goto, T. Watanabe, S. Tsuduku, H. Kobayashi, Y. Nemoto, T. Yanagisawa, M. Akatsu, G. Ano, O. Suzuki, N. Takeda, A. Donni, H. Kitazawa
  • Journal Title: J. Phys. Soc. Jpn. 78 Pages: 024716 1-9
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Observation of Low-Temperature Elastic Softening due to Vacancy in Crystalline Silicon (2006)
  • Author(s): T. Goto, H. Y. Kaneta, Y. Saito, Y. Nemoto, K. Sato, K. Kakimoto, S. Nakamura
  • Journal Title: J. Phys. Soc. Jpn. 75 Pages: 044602 1-6
  • Peer Reviewed
• [Presentation] Vacancies in as-grown CZ silicon crystals observed by low-temperature ultrasonic measurements (2007)
  • Author(s): H. Y-Kaneta, T. Goto, Y. Nemoto, K. Sato, M. Hikin, Y. Saito, S. Nakamura
  • Organizer: DRIP XII (12th International Conference on Defects- Recognition, Imagingand Physics in Semiconductors)
  • Place of Presentation: Berlin, Germany
  • Year and Date: 20070900
• [Presentation] Direct observation of vacancy in silicon using sub-Kelvin ultrasonic measurements (2006)
  • Author(s): INVITED T. Goto, H. Y-Kaneta, Y. Saito, Y. Nemoto, K. Sato, K. Kakimoto, S. Nakamura
  • Organizer: Advanced Silicon for the 21st Century (European Materials Research Society 2006) Nice
  • Place of Presentation: Nice, France
  • Year and Date: 20060500-0600
• [Remarks] 「シリコン原子レベルで評価」,日本経済新聞2006年4月21日,15 面.
• [Remarks] シリコンウエハー極限微細領域で覇権原子空孔濃度測定上「新潟大が技術・装置開発経産・文科省,実用化後押し」下「完全結晶ウエハーとデバイス歩留まり,画期的に向上」化学工業日報2009年3月16,17日. 1面
• [Patent(Industrial Property Rights)] シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置,その方法,シリコンウェーハの製造方法,及び薄膜振動子 (2008)
  • Inventor(s): 後藤輝孝, 根本祐一, 金田寛
  • Industrial Property Rights Holder: 国立大学法人新潟大学
  • Industrial Property Number: 特願2008-93276, PCT/JP2008/061987(PCT)
  • Filing Date: 2008-03-31