2007 Fiscal Year Annual Research Report
単一分子電気伝導特性計測によるナノリンク電気伝導特性評価
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18041006
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
藤井 慎太郎 Tokyo Institute of Technology, 大学院・生命理工学研究科, 助教 (70422558)
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| Keywords | 表面・界面物性 / 走査プローブ顕微鏡 |
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| Research Abstract |
真空環境下、室温で走査トンネル顕微鏡法およびMechanically controllable break junction (MCBJ)法を用いて再現性のより高い単一分子電気伝導特性計測を報告した。金電極間を1,4-ベンゼンジチオレート分子が架橋した単一分子接合のコンダクタンス値についてこれまで数多くの研究報告例があるが、その値に関しては10_5G_0から0.IG_0に渡る大きく異なる結果が報告されてきた(ここでG_<ο>は量子化コンダクタンス=77.5μS)。このばらつきの原因として単一分子の架橋構造作製の困難さがあげられる。本研究では、ジチオレート分子を絶縁性の自己組織化単分子膜中に希釈・孤立させることにより、再現性の良い単一ジチオール分子の架橋構造め作製に成功2した。この方法により、金電極を架橋した単一ベンゼンジチオール分子接合について、上述の2つの異なる実験手法の両方を用いて、再現性の高いコンダクタンス値を得ることができた。この単一分子架橋構造の作製方法は他の分子にも応用可能であり、更なる展開が期待される。
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