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2008 Fiscal Year Annual Research Report

IV族系量子デバイス製作のための原子層制御プラズマプロセスの構築

Research Project

Project/Area Number 18063001
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

櫻庭 政夫  Tohoku University, 電気通信研究所, 准教授 (30271993)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 室田 淳一  東北大学, 電気通信研究所, 教授 (70182144)
Keywords量子ヘテロ構造 / プラズマ / エピタキシャル成長 / 原子層制御 / IV族半導体
Research Abstract

IV族系量子デバイスの高性能化のために重要となる高度歪Si_<1-x>Ge_x/Siヘテロ構造の高品位形成と原子層ドーピング制御を可能とする原子層制御プラズマプロセスの構築を目指し、本年度は、プラズマCVDプロセスによる高濃度B原子層ドープSi薄膜形成について研究を進めた結果、Si(100)上へのB原子層形成とその上への原子オーダ平坦性を有するナノメートルオーダ厚さSiキャップ層のエピタキシャル成長を基板非加熱下で実現した。そして、B原子層をSiキャップ層中の厚さ約1nmの極薄領域に閉じ込めることに成功した。さらに、表面が原子オーダで制御されたSi編Ge系エピタキシャル成長と歪制御について研究を進めた結果、プラズマCVDプロセスによって形成した歪緩和Ge/Si(100)エピタキシャル薄膜上に、500℃での熱CVDプロセスにより、ナノメートルオーダ厚さの高平坦高濃度Bドープ歪Si薄膜のエピタキシャル成長が可能であることを見いだした。一方、歪Si^<1-x>Ge_x/Siヘテロ構造を適用した二重Si障壁共鳴トンネルダイオードの製作と高性能化についても研究を進め、界面ラフネス発生を抑制した高Ge比率化の推進により、Ge比率0.58において負性抵抗消失温度を290K対にまで高温化することを実現した。以上のように、IV族系量子デバイス製作のための原子層制御プラズマプロセス構築のために重要な成果を得た。

  • Research Products

    (9 results)

All 2008

All Journal Article (2 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (7 results)

  • [Journal Article] Very Low-Temperature Epitaxial Growth of Silicon and Germanium Using Plasma-Assisted CVD2008

    • Author(s)
      M. Sakuraba
    • Journal Title

      Thin Solid Films 517

      Pages: 10-13

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Impact of Ge Fraction Modulation upon Electrical Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100)Heterostructure2008

    • Author(s)
      T. Seo
    • Journal Title

      Thin Solid Films 517

      Pages: 110-112

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Heavily B Atomic-Layer Doping in Si Epitaxial Growth Using Electron-Cyclotron-Resonance Plasma2008

    • Author(s)
      T. Nosaka
    • Organizer
      Int. Union of Mat. Res. Soc. -Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    • Place of Presentation
      Nagoya, Japan
    • Year and Date
      20081209-13
  • [Presentation] Epitaxial Growth of Highly Strained B Doped Si on Relaxed Ge/Si(100)2008

    • Author(s)
      K. Sugawara
    • Organizer
      Int. Union of Mat. Res. Soc. -Int. Conf. in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008)
    • Place of Presentation
      Nagoya, Japan
    • Year and Date
      20081209-13
  • [Presentation] Application of Relaxed Ge/Si(100)by ECR Plasma CVD to Highly Strained B Doped Si2008

    • Author(s)
      K. Sugawara
    • Organizer
      4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan
    • Year and Date
      20080925-27
  • [Presentation] Epitaxial Growth of B Atomic-Layer Doped Si Film on Si(100)Using Electron-Cyclotron-Resonance Ar Plasma2008

    • Author(s)
      T. Nosalca
    • Organizer
      4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan
    • Year and Date
      20080925-27
  • [Presentation] Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing High Ge Fraction (x>0.5)Si/Strained Si_<1-x>_Ge_x/Si(100)Heterostructure with Improved Performance at Higher Temperatureabove 200 K2008

    • Author(s)
      K. Takahashi
    • Organizer
      4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan
    • Year and Date
      20080925-27
  • [Presentation] Fabrication of Hole Resonant Tunneling Diodes Utilizing Nanometer-Order Strained SiGe/Si(100)Heterostructures with High Ge Fraction2008

    • Author(s)
      M. Sakuraba
    • Organizer
      4th Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
    • Place of Presentation
      Sendai, Japan
    • Year and Date
      20080925-27
  • [Presentation] Improvement in Negative Differential Conductance Characteristics of Hole Resonant Tunneling Diodes with High Ge Fraction Si/Strained Si_<1-x>Ge_x/Si(100)Heterostructure2008

    • Author(s)
      T. Seo
    • Organizer
      4th Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)
    • Place of Presentation
      Hsinchu, Taiwan
    • Year and Date
      20080311-14

URL: 

Published: 2010-06-11   Modified: 2016-04-21  

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