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2008 Fiscal Year Self-evaluation Report

Microscopic Fluctuations and Transport Mechanism of Few Electron Systems

Research Project

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Project/Area Number 18063004
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

Allocation TypeSingle-year Grants
Review Section Science and Engineering
Research InstitutionUniversity of Tsukuba

Principal Investigator

SANO Nobuyuki  University of Tsukuba, 大学院数理物質科学研究科, 教授 (90282334)

Project Period (FY) 2006 – 2009
Keywords電子デバイス / 集積回路
Research Abstract

チャネル電子やイオン化不純物が少数個になるナノスケールMOSFETでは、電子やイオン化不純物の離散性が素子特性のばらつきに本質的な影響を及ぼす。そこで本研究では、離散分布する不純物や電子のもつクーロンポテンシャルと、ナノスケールで発現する電子の量子性を考慮したシミュレータをこれまでに無い精度で構築することを目指す。そのうえで、電子輸送機構の解明と定量的な輸送特性評価を行うことを目的とする。具体的には、
(1)クーロンポテンシャルの長距離成分を厳密に考慮し3次元粒子シミュレータを構築する。
(2)3次元粒子シミュレータでナノスケール素子における少数電子の輸送機構の解明と特性揺らぎの解析を行う。
(3)ソース/ドレイン領域での散逸を含めた量子輸送シミュレータを構築し、チャネル電子の位相干渉と位相緩和の電子輸送への影響を明らかにする。

  • Research Products

    (6 results)

All 2009 2008 2007 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (2 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Three -dimensional Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Si Including Full Coulomb Interaction2008

    • Author(s)
      T.Fukui, T.Uechi, and N.Sano
    • Journal Title

      Appl. Phys. Exp 1

      Pages: 5107_1-3

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Consistency of Boundary Conditions in Non- equilibrium Green's Function Simulations2008

    • Author(s)
      S.Sato and N.Sano
    • Journal Title

      J. Comp. Electron 7

      Pages: 301-304

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] ナノスケール半導体構造における準弾道電子輸送2007

    • Author(s)
      佐野伸行
    • Journal Title

      応用物理学会誌 10月号

      Pages: 1135-1141

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Impact of the Coulomb Interaction on Nano-scale Device Characteristics: A Monte Carlo Study2009

    • Author(s)
      N.Sano
    • Organizer
      IEEE EDS Mini-colloquium for Nano CMOS and Nanowire
    • Place of Presentation
      東京工業大学、横浜市
    • Year and Date
      2009-02-21
  • [Presentation] Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices2007

    • Author(s)
      S. Toriyama, N. Sano
    • Organizer
      International Conference on Solid State Materials and Devices (SSDM-2007)
    • Place of Presentation
      Tsukuba
    • Year and Date
      20070919-20070921
  • [Remarks]

    • URL

      http://hermes.esys.tsukuba.ac.jp/

URL: 

Published: 2010-06-11   Modified: 2016-04-21  

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