2006 Fiscal Year Annual Research Report
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18063009
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
岩井 洋 東京工業大学, フロンティア創造共同研究センター, 教授 (40313358)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
服部 健雄 武蔵工業大学, 名誉教授 (10061516)
筒井 一生 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助教授 (60188589)
角嶋 邦之 東京工業大学, 大学院総合理工学研究科, 助手 (50401568)
PARHAT AHMET 東京工業大学, フロンティア創造共同研究センター, 助手 (00418675)
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| Keywords | 三次元構造MOSFET / FinFET / ゆらぎ / トランジスタ / Schottky source / drain / Niシリサイド |
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| Research Abstract |
新材料や新構造要素を取り入れた三次元構造MOSFETは、微細化を進めた際に性能劣化やバラつきに影響を与える因子が明確でない。本研究では、シミュレーションを基礎としてこれらの性能上の利害得失とプロセス揺らぎに対するロバスト性に特に重点を置いて問題の明確化と将来への設計指針を与えることを目的としている。またHigh-kゲート絶縁膜、Geチャンネル、silicide/germanide, Schottky source/drainなど各種新材料の薄膜に関する物性パラメータを実験的に求め、その実験的に得られたパラメータに基づいた新材料を取り入れた三次元MOSFETのシミュレーションを行うことを目指している。
シミュレーションについて初年度は準備として3次元デバイスシミュレータを立ち上げた。そして、これを用いて、単純化したFin型電界効果トランジスタ(FinFET)のスペーサー領域形状に依存する寄生効果のトレードオフ関係を明らかにし、形状最適化の概念を示すことができた。これは、次年度以降に本格化する、ITRSロードマップにも予測されている現実の微細化三次元構造MOSFETの特性揺らぎとロバスト性の多元的な検討の準備カミ整ったことを示す成果である。
新材料について初年度はSchottky source/drain構造の実現の準備としてNiシリサイドをべ一スにしたシリサイド化プロセスの検討を行った。またNiシリサイド/Si構造用いてその電圧-電流特性から、シリサイド/シリコン界面でのSchottky障壁の評価を行った。界面に他の金属層を導入した場合には、適切な熱処理を行うことによりSchottky障壁の制御もある程度可能であることを示す結果を得た。
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