2008 Fiscal Year Self-evaluation Report
Robustness of 3-dimensional MOSFETs
| Project/Area Number |
18063009
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
IWAI Hiroshi Tokyo Institute of Technology, フロンティア研究センター, 教授 (40313358)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2009
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| Keywords | MOSFET / ロバストネス / 3次元 / ゆらぎ / ショットキー接合 / FinFET |
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| Research Abstract |
将来必須と考えられる三次元構造MOSFETにおいて、デバイス寸法の微細化、新材料や新構造要素の導入を進めた場合に懸念される短チャネル効果による特性劣化やデバイス特性の揺らぎをどのように回避できるか、そのための条件は何かという指導原理を明らかにすることが目的である。具体的には以下の内容を実施する。
(1) デバイスシミュレーションにより、三次元構造MOSFET の代表であるFinFETにおいて、構造寸法等の変動に対してデバイス特性がどのような影響を受けるかを解析し、特性ばらつきが起き難いロバスト性の高いデバイス実現の指針を明らかにする。
(2) ゲート絶縁膜、ソースドレイン接合、チャネルなどに新規の材料が導入されてきた場合の特性のロバスト性について知見を得る。新規材料をデバイスに用いた場合の未知の特性値やデバイスパラメータを実験的に求める。
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