2007 Fiscal Year Annual Research Report
シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究
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18063013
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
財満 鎭明 Nagoya University, 大学院・工学研究科, 教授 (70158947)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高木 信一 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30372402)
堀 勝 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80242824)
益 一哉 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (20157192)
宮崎 誠一 広島大学, 先端物質科学研究科, 教授 (70190759)
平本 俊郎 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20192718)
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| Keywords | シリコンULSI / MOSFET / スケーリング則 / ポストスケーリング技術 / ナノCMOS / ナノデバイスインテグリティ / 特性ばらつき |
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| Research Abstract |
本特定領域研究は、シリコンULSIにおける基本素子MOSFETの「スケーリング則」による性能向上限界を打破するために、『ポストスケーリング技術』としての新しい指導原理の導入を目的に発足した。次世代ユビキタスネットワーク社会の実現に向けて、高性能・高機能、低環境負荷特性、柔軟性を兼ね備えた次世代シリコンナノエレクトロニクスの実現を目指して、ナノスケール相補型MOSデバイス(Nano-CMOS)の高性能化・高機能化・極限集積化を達成するための基礎科学と基盤技術の構築に関する総括的研究を行ってきた。学識経験者と民間企業開発責任者からなる評価グループを設け、学術的、産業的立場からの評価や提言を行う活動として、以下の会議および研究会を開催した。
・総括班会議(3回):計画研究班班長より研究計画や進捗状況に関する報告が行われた。
・第二回・第三回全体会議(平成19年8月9、10日・同年12月21日、22日、共に名古屋):各研究グループより研究成果、今後の研究計画が報告され、研究指針に関する議論が行われた。
・国際シンポジウムFifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)(平成19年11月12〜14日、東京)の共催:本領域からも多数の論文投稿が行われた。
・第二回成果報告会(平成20年3月7、8日、東京):評価委員および外部研究者による2件の招待講演を含む13件の講演および64件のポスター発表が行われた。
・シンポジウム企画(平成20年3月29日、東京):第55回応用物理学関係連合講演会においてシンポジウム"シリコンナノエレクトロニクスの新展開「Ge MOSトランジスタ技術」"を主催した。企業を含めた研究者による最先端技術に関する7件の講演が行われ、Ge系MOSFET技術の展望に関する議論を行った。
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