2009 Fiscal Year Annual Research Report
シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究
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18063013
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
財満 鎭明 Nagoya University, 大学院・工学研究科, 教授 (70158947)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
堀 勝 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80242824)
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| Keywords | シリコンULSI / MOSFET / スケーリング則 / ポストスケーリング技術 / ナノCMOS / ナノデバイスインテグリティ / 特性ばらつき |
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| Research Abstract |
本特定領域研究は、シリコンULSIにおける基本素子MOSFETの「スケーリング則」による性能向上限界を打破するために、『ポストスケーリング技術』として新しい指導原理を導入することを目的として発足した。そこで、次世代ユビキタスネットワーク社会の実現に向けた、高性能・高機能、低環境負荷特性、柔軟性を兼ね備えた次世代シリコンナノエレクトロニクスの実現を目指して、ナノスケール相補型MOSデバイス(Nano-CMOS)の高性能化・高機能化・極限集積化を達成するための基礎科学と基盤技術を構築するための総括的研究を行い、学識経験者と民間企業開発責任者からなる評価グループを設け、学術的、産業的立場からの評価や提言を行う活動として、以下の会議、研究会およびシンポジウムを開催した。
・総括班会議(3回):各計画研究班班長より研究計画や進行状況についての報告が行われた。また、平成22年度に行う本特定領域研究主催の国際会議(International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics)についての概要を決定した。
・全体会議(1回)、第六回(平成21年8月6、7日、メルパルク名古屋):計画研究および公募研究の研究代表者が各研究課題について進捗状況や今後の研究計画についての報告が行われた。
・成果報告会(1回)、第四回(平成21年1月19、20日、秋葉原コンベンションホール):この報告会では8件の口頭発表および61件のポスター発表(ショートプレゼンテーション付)が行われ、さらに2件の特別講演を行った。
・シンポジウム(1回)、「CMOSデバイス高性能化・特性ばらつき抑制技術の最前線」(平成21年9月10日、第70回応用物理学会学術講演会):本特定領域に関係するテーマについてシンポジウムを主催し、第一線の研究者によって最先端技術について講演を行い、シリコンテクノロジーの将来展望についての議論を行った。
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