2008 Fiscal Year Self-evaluation Report
Overall research on technology evolution for Si nano-electronics
| Project/Area Number |
18063013
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
ZAIMA Shigeaki Nagoya University, 大学院工学研究科, 教授 (70158947)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2010
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| Keywords | 電子デバイス / 半導体超微細化 / デバイス設計・製造プロセス / 超薄膜 / ナノ材料 |
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| Research Abstract |
本特定領域研究は、シリコンULSIにおける基本素子MOSFETの「スケーリング則」による性能向上限界を打破するために、『ポストスケーリング技術』としての新しい指導原理の導入を目的に発足した。次世代ユビキタスネットワーク社会の実現に向けて、高性能・高機能、低環境負荷特性、柔軟性を兼ね備えた次世代シリコンナノエレクトロニクスの実現を目指して、ナノスケール相補型MOSデバイス(Nano-CMOS)の高性能化・高機能化・極限集積化を達成するための基礎科学と基盤技術の構築に関する総括的研究を行う。当総括班では、学識経験者と民間企業開発責任者からなる評価グループを設け、学術的、産業的立場からの評価や提言を行う活動として、各種会議および研究会、成果報告会を企画、開催する。
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