2008 Fiscal Year Self-evaluation Report
Growth of Ferromagnetic Silicide for Source/Drain Engineering
Project/Area Number |
18063018
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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Allocation Type | Single-year Grants |
Review Section |
Science and Engineering
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Research Institution | Kyushu University |
Principal Investigator |
MIYAO Masanobu Kyushu University, 大学院システム情報科学研究院, 教授 (60315132)
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Project Period (FY) |
2006 – 2009
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Keywords | 電子デバイス・機器 / 集積回路 / スピントロニクス / シリコンゲルマニウム |
Research Abstract |
Si集積回路(Si-ULSI)が直面しているスケーリング限界の打破を目指して、SiGeヘテロ半導体をULSIに活用する研究が盛んに行われている。この様なヘテロ半導体に、「スピン機能」をも導入する事が出来れば、デバイス性能は飛躍的に向上し、21世紀のユビキタス情報通信に対応した未来型ULSIの創製が可能となる。我々はそのブレークスルーを、スピン偏極型強磁性シリサイドをソース(S)/ドレイン(D)としたスピントランジスタに求め、研究を行っている。
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Research Products
(12 results)
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[Presentation] Atomically Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Heusler Alloys for Group-IV- Semiconductor Spintronic Applications (invited)2008
Author(s)
M. Miyao, K. Hamaya, T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, Y. Nozaki, K. Matsuyama, H. Itoh, and Y. Maeda
Organizer
IUMRS-ICA, ZI-4
Place of Presentation
Nagoya, Japan
Year and Date
20081209-13
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[Remarks] 第68回応用物理学会学術講演会(於 北海道工大)講演奨励賞受賞:安藤裕一郎,5p-Q-2,「Fe3SiGeヘテロエピタキシャル成長層の軸配向性の成長温度依存性の考察」
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[Remarks] 第54回応用物理学関係連合講演会(於 青山学院大学)講演奨励賞受賞:上田公二, 29a-P6-4,「Fe3Si/SiGeヘテロエピタキシャル成長に与える基板効果」