2007 Fiscal Year Annual Research Report
放射光X線マイクロプローブによるナノデバイス材料・界面の物性評価
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18063019
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| Research Institution | Japan Synchrotron Radiation Research Institute |
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Principal Investigator |
木村 滋 Japan Synchrotron Radiation Research Institute, 利用研究促進部門・ナノテクノロジー利用研究推進グループ, グループリーダー副主席研究員 (50360821)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
田尻 寛男 財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門表面構造チーム, 研究員 (70360831)
坂田 修身 財団法人高輝度光科学研究センター, 利用研究促進部門表面構造チーム, チームリーダー主幹研究員 (40215629)
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| Keywords | 薄膜構造 / 表面・界面物性 / 金属錯体 / シンクロトロン放射光 |
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| Research Abstract |
平成19年度は、昨年度に開発を進めた、(1)高分解能マイクロX線回折システムと(2)多軸回折計および屈折レンズ光学系を利用し、本特定領域内での連携研究を積極的に推進した.以下に概要を示す.
(1)直接接合Si基板の評価(A04班財満、酒井研究グループとの連携研究)
シリコン直接接合によるハイブリッド結晶表面[Si(001)/Si(001)]基板の微細構造をマイクロビームによるロッキング曲線の試料位置依存性を測定することにより評価した.
(2)歪Si基板の評価(A04班渡部研究グループとの連携研究)
これまで、マイクロ回折では非常に薄い最表面の歪Si層の評価は困難であったが、エネルギーを8keVにして113非対称反射を測定することにより、歪Si層の評価も可能になった.
(3)微小領域選択MOVPEにより作製したSi(111)面上InGaAsの構造解析(A01班杉山研究グループとの連携研究)
Si基板上に高品位なIII-V族半導体結晶層を作製することを目的とし、微小成長領域からの選択横方向成長を用い形成したSi(111)面上の層厚200nm,横方向成長幅2μmのInGaAsを評価した.
(4)バイクリスタルFETデバイス構造の歪測定(A01班由部研究グループとの連携研究)
極薄Siバイクリスタル層の歪測定を屈折レンズにより1×3μm^2程度に集光したマイクロX線ビームと多軸回折計を使用し測定した.
(5)カーボンナノウォールの構造評価(AO2班 堀研究グループとの連携研究)
成膜条件、酸素および窒素添加の効果、成膜基板による構造変化、界面構造などを調べることを目標として、多軸回折計を利用した微小角入射X線回折法により、カーボンナノウォールの構造評価を行った.
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