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2008 Fiscal Year Annual Research Report

光電子分光によるバルク金属-絶縁体転移の解明

Research Project

Project/Area Number 18104007
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

菅 滋正  Osaka University, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (40107438)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 関山 明  大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 助教 (40294160)
Keywords軟X線角度分解光電子分光 / 強相関電子系 / バルク3次元フェルミオロジー / 硬X線光電子分光 / 光電子recoil効果 / 近藤格子効果 / 極低エネルギー超高分解能光電子分光
Research Abstract

金属-絶縁体転移を起こす物質の中でも特にMott型の金属-絶縁体転移を起こす物質としてV_2O_3、renormalized Peierls絶縁体的な金絶-縁体転移を起こす物質としてVO_2がこれまでよく研究されてきた.我々は硬X線光電子分光(HAXPES)を用いてさらにバルク敏感な高分解能の測定を行いこの両物質の金属-絶縁体転移の機構を議論した.ところでマグネリ相のバナジウム酸化物V_nO_<2n-1>はV_2O_3+(n-2)VO_2の表式で書かれる様に両物質が部分的に混ざった物質であるのでこれらのバルク電子状態を調べることでバナジウム酸化物全体の金属-絶縁体転移機構を解明できる可能性があるので上記2物質に加えて金属-絶縁体転移を起こすV_4O_7(転移温度は250K),V_5O_9(145K),V_6O_<11>(170K)について超高真空中で単結晶試料を破断しすべての内殻と価電子帯の金属相ならびに絶縁体相の光電子スペクトルを高い精度で測定した結果、価電子帯スペクトルの挙動はincoherent部の強度が電子相関の増大とともに強くなる振る舞いを示すものの物質問で大きな違いは無く絶縁体相のV2pスペクトルには大きな物質依存性が観測されることが分かった.なお金属相のスペクトルの物質依存性はこれよりは小さい。この結果よりV-V間のdimerization効果が物質により大きく異なることが分かった.低温になるにつれてgapの開く近藤半導体ではないかと言われているFeSb_2について,HAXPES軟X線PES,極低エネルギー超高分解光電子分光(ELEPES)を行った結果ELEPESもバルク敏感であることならびに低温でもこの物質は金属であることを示すスペクトルを観測した.以上のように金属-絶縁体転移機構を解明できるバルク敏感光電子分光の手法が確立された。

  • Research Products

    (11 results)

All 2009 2008

All Journal Article (7 results) (of which Peer Reviewed: 7 results) Presentation (3 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Hard X-ray photoelectron spectroscopy of correlated electron systems and recoil effects in photoelectron emission2009

    • Author(s)
      S. Suga, A. Sekiyama
    • Journal Title

      Euro. Phys. J. (In press)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Potential and restriction of high resolution, high energy photoemission in 400-8,000 eV for studying strongly correlated electron systems2008

    • Author(s)
      S. Suga
    • Journal Title

      Appl. Phys. A 92

      Pages: 479-485

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Band Jahn-Teller instability and formation of valence bond solid in a mixed-valent spinel oxide LiRh_2O_42008

    • Author(s)
      Y. Okamoto, et al.
    • Journal Title

      Phys. Rev. Lett. 101

      Pages: 086404-1-4

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Electronic structures and p-d exchange interaction of Mn doped diluted magnetic semiconductors2008

    • Author(s)
      S. Ueda, et al.
    • Journal Title

      Phys. Rev. B 78

      Pages: 205206-1-8

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Ultra-high resolutionVUV light source system for extremely low energy photoelectron spectroscopy2008

    • Author(s)
      G. Funabashi, et al.
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      Pages: 2265-2269

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Significance of the intersite Coulomb interaction between the 0 2p and Cu 3d holes revealed by resonant inelastic X-ray scattering for Sr_<14>CU_<24>O_<41>2008

    • Author(s)
      A. Higashiya, et al.
    • Journal Title

      New J. Phys. 10

      Pages: 053033-1-10

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Origin of "hot-spots" in the pseudogap regime of Nd_<1.85>Ce_<0.15>CuO_4 : LDA+DMFT+Σk study2008

    • Author(s)
      E. E. Kokorina, et al.
    • Journal Title

      Journal of Experimental and Theoretical Physics 107

      Pages: 828-838

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Genuine bulk electronic structures of ruthenates, cuprates, manganites and vanadates revealed by high energy photoelectron spectroscopy2009

    • Author(s)
      S. Suga
    • Organizer
      German Physical Society Meeting
    • Place of Presentation
      Berlin工科大学ドイツ
    • Year and Date
      2009-02-24
  • [Presentation] HAXPES of strongly correlated materials : Yb, Sm and V compounds and presence or absence of recoil effects in some V compounds2008

    • Author(s)
      S. Suga
    • Organizer
      International Workshop on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
    • Place of Presentation
      ALS, Berkley, California
    • Year and Date
      2008-10-14
  • [Presentation] High Energy Photoelectron Spectroscopy of Correlated Electron Systems and Recoil Effects in Photoelectron Emission2008

    • Author(s)
      S. Suga, A. Sekiyama
    • Organizer
      International Conference on X-Ray and Inner Shell Processes
    • Place of Presentation
      Paris, France
    • Year and Date
      2008-06-26
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 原子軌道解析装置およびその解析方法2009

    • Inventor(s)
      関山 明
    • Industrial Property Rights Holder
      大阪大学
    • Industrial Property Number
      特願2009-038656
    • Filing Date
      2009-02-20

URL: 

Published: 2010-06-11   Modified: 2016-04-21  

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