2008 Fiscal Year Annual Research Report
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18106001
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
竹田 美和 Nagoya University, 大学院・工学研究科, 教授 (20111932)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
田渕 雅夫 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90222124)
宇治原 徹 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (60312641)
渕 真悟 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60432241)
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| Keywords | ヘテロ界面 / 結晶成長 / CTR散乱法 / X線構造解析 |
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| Research Abstract |
実験室系X線装置によるCTR散乱測定系とMOVPE成長装置の一体化と周辺装置の設置により、真空・キャリアガス供給・成長原料ガス供給が可能となり、かつ、昇温時のCTR散乱測定が可能となった。昇温実験で明らかになったことは、高温におけるGaN及びGaInNの信頼出来る物性定数や結晶学的定数・パラメータが殆どないことである。室温においてさえ、X線CTR散乱スペクトルを解析するに十分な精度の値であるかどうか不明である。特に、サファイア基板上のGaN系半導体薄膜は、格子不整合による歪み、および熱膨張係数差による歪みなどがあり、ある程度のヘテロ構造解析結果は得られているものの、物理的に解釈が困難な結果となっている。
そのため、まず、GaN基板上のGaNの結晶学的パラメーラの温度依存性測定から始めることにした。精度の高いパラメータを取得し、21年度計画の成長時におけるCTR散乱測定およびその解析に供する。
尚、本研究は電子材料シンポジウム(ラフォーレ修善寺、2008年7月9日-11日)で最も感心をもたれた発表に対して授与されるEMS賞を受賞した。
また、SPring-8のマイクロビームを用いた数μmφレベルのマッピングは、幅の異なるSiO_2マスクを用いたInP/GaInAsP/InP成長における実験を行い、従来、層厚や組成の場所依存性がない、との仮定を用いざるを得なかったが、本実験によって、仮定なしで、すべての解(層厚、組成、ヘテロ界面)が得られることを示した。
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