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2008 Fiscal Year Annual Research Report

InNおよび関連混晶の高度化RF-MBE成長技術の開発と電子・光物性制御の研究

Research Project

Project/Area Number 18206003
Research InstitutionRitsumeikan University

Principal Investigator

名西 やす之  Ritsumeikan University, 理工学部, 教授 (40268157)

Keywords窒化インジウム / 分子線エピタキシー法 / p型ドーピング / ヘテロ界面 / インターミキシング / オーミックコンタクト
Research Abstract

1.InN系デバイスの実現には、InNとGaN、AlN及びそれらの混晶から成る急峻なヘテロ界面形成が必須である。そこで本年度はAlN/InN界面におけるInとAlのインターミキシングについて検討を行った。XRD測定の結果、GaN/InNヘテロ界面と同様に、AlN/InN界面においてもインターミキシングによるInAINの形成が確認され、AINの堆積温度が高くなるにしたがって、InAlNのIn組成が高In側ヘシフトすることがわかった。一方で、GaN/InNヘテロ界面の場合とは異なり、AlNの堆積温度がInNの成長温度より低い場合でもInNの分解が起こり、AlN堆積時のV/III比をよりAlリッチにすると、さらに低い堆積温度でもInNの分解が生じることが明らかとなった。
2.InN系デバイスの実現に不可欠なp型ドーピングに関する検討として、LiAIO_2基板上へのMgドープM面InN結晶成長とその特性評価を行った。XRD測定の結果、Mgドーピングを行うことで、M面InN成長にC面InN成長が混在し、またMgドーピング量が増加するにつれて、C面InNの混在が増加する傾向にあることがわかった。ホール効果測定を用いた電気的特性評価の結果、C面InNで確認されたようなMgドーピングによるキャリアの補償効果が十分に得られなかった。このことは、Mgドーピングの影響によって、C面InNが混在することで結晶性が悪化し、残留の電子濃度が増加したことが原因ではないかと考えられる。
3.InNの電子・光物性制御へ向けた基本検討として、InN上に堆積した各種金属のコンタクト抵抗に関する評価を行った。Al、Ti、Niを電子ビーム蒸着法によりInN上に堆積し、CTLM法を用いてノンアロイの状態でコンタクト抵抗を測定した。その結果、全ての金属において良好なオーミック特性を示した。また得られた固有接触抵抗値は、金属間の仕事関数の違いによらず、10^<-6>Ωcm^2台でほぼ同じ低い値を示した。以上の結果は、InN系デバイスに対するこれら金属材料のノンアロイ電極材料としての有用性を示すものである。

  • Research Products

    (34 results)

All 2009 2008

All Journal Article (7 results) (of which Peer Reviewed: 7 results) Presentation (27 results)

  • [Journal Article] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • Author(s)
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • Journal Title

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216

      Pages: 72160N/1-8

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2009

    • Author(s)
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, Y. Nanishi
    • Journal Title

      J. Cryst. Growth (In press)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO2 Substrate by RF-MBE2009

    • Author(s)
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • Journal Title

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2 (100) Substrate2009

    • Author(s)
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • Journal Title

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008

    • Author(s)
      T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
    • Journal Title

      Journal of Electronic Materials 37

      Pages: 603-606

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns2008

    • Author(s)
      S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki, Y. Nanishi
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      Pages: 5330-5332

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Photoreflectance of InN and InN : Mg layers : An evidence for Fermi level shift to wards the valence band upon Mg doping in InN2008

    • Author(s)
      R. Kudrawiec, T. Suski, J. Serafinczuk, J. Misiewicz, D. Muto, Y. Nanishi
    • Journal Title

      Appl. Phys. Lett. 93

      Pages: 131917/1-3

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] KFMによるInN表面電位の直接評価2009

    • Author(s)
      金子昌充, 山口智広, 名西〓之
    • Organizer
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-31
  • [Presentation] 段差AlGaN/GaN基板上へのInN再成長構造の作製と電気的特性評価2009

    • Author(s)
      前田就彦, 山口智広, 菊池将悟, 廣木正伸, 名西〓之
    • Organizer
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-31
  • [Presentation] AlN/InNヘテロ構造の作製と評価2009

    • Author(s)
      奥村昌平、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西やす之
    • Organizer
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-30
  • [Presentation] LiAlO_2基板上C面混在M面InN薄膜の構造評価2009

    • Author(s)
      荒木努, 野沢浩一, 高木悠介, 武藤大祐, 山口智広, 名西〓之
    • Organizer
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-30
  • [Presentation] 低温InNバッファ層を用いた高品質A面(11-20)InNの結晶成長2009

    • Author(s)
      川島圭介, 山口智広, 武藤大祐, 荒木努, 名西〓之
    • Organizer
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-30
  • [Presentation] CTLM法によるAl, Ti, Ni, のInNへのコンタクト抵抗評価2009

    • Author(s)
      菊池将悟、前田就彦、山口智広、名西やす之
    • Organizer
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-21
  • [Presentation] Proposal of New InN Growth Method by MBE and Usefulness of This Method as Nitrogen Radical Beam Monitoring2009

    • Author(s)
      Y. Nanishi, T. Yamaguchi
    • Organizer
      First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2009)
    • Place of Presentation
      Nagoya University
    • Year and Date
      2009-03-10
  • [Presentation] Growth and Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • Author(s)
      Y. Nanishi, T. Araki
    • Organizer
      PDI Topical workshop on MBE-grown Nitride Nanowires
    • Place of Presentation
      Berlin, Germany
    • Year and Date
      2009-03-05
  • [Presentation] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • Author(s)
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • Organizer
      SPIE International Symposium on Integrated Optoelectronic Devices 2009
    • Place of Presentation
      San Jose Convention Center(San Jose, USA)
    • Year and Date
      2009-01-27
  • [Presentation] RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価2008

    • Author(s)
      高木悠介, 野沢浩一, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • Organizer
      電子情報通信学会
    • Place of Presentation
      名古屋工業大学(名古屋市)
    • Year and Date
      2008-11-27
  • [Presentation] RF-MBE法によるR面(10-12)Sapphire基板上、半極性面InNの結晶成長2008

    • Author(s)
      中谷佳津彦, 川島圭介, 山口智広, 武藤大祐, 荒木努, 名西〓之
    • Organizer
      電気関係学会関西支部連合大会
    • Place of Presentation
      京都工芸繊維大学
    • Year and Date
      2008-11-09
  • [Presentation] RF-MBE法を用いた高In組成InGaNに対するMg dopingの検討2008

    • Author(s)
      福本英太, 澤田慎也, 武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • Organizer
      第38回結晶成長国内会議(NCCG-38)
    • Place of Presentation
      仙台市戦災復興記念館(仙台市)
    • Year and Date
      2008-11-05
  • [Presentation] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)2008

    • Author(s)
      Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
    • Organizer
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • Place of Presentation
      Montreux Convention Center (Switzeland)
    • Year and Date
      2008-10-09
  • [Presentation] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO_2 Substrate by RF-MBE2008

    • Author(s)
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • Organizer
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • Place of Presentation
      Montreux Convention Center (Switzeland)
    • Year and Date
      2008-10-09
  • [Presentation] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2 (100) Substrate2008

    • Author(s)
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • Organizer
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • Place of Presentation
      Montreux Convention Center (Switzeland)
    • Year and Date
      2008-10-09
  • [Presentation] New insight into the free carrier properties of InN2008

    • Author(s)
      V. Darakchieva, T. Hofmann, M. Schubert, B. Monemar, H. Lu, W. J. Schaff, C. -L. Y. Hsiao, T. -W. Liu, L. -C. Chen, D. Muto, Y. Nanishi
    • Organizer
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • Place of Presentation
      Montreux Convention Center (Switzeland)
    • Year and Date
      2008-10-08
  • [Presentation] GaN/InNヘテロ構造の成長と評価2008

    • Author(s)
      武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • Organizer
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学(春日井市)
    • Year and Date
      2008-09-04
  • [Presentation] CTLM法によるInNオーミックコンタクト抵抗の評価2008

    • Author(s)
      菊池将悟, 佐藤丈, 檜木啓宏, 山口智広, 前田就彦, 荒木努, 名西〓之
    • Organizer
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学(春日井市)
    • Year and Date
      2008-09-03
  • [Presentation] TEMを用いたM面(10-10)InNの極微構造評価2008

    • Author(s)
      野沢浩一, 高木悠介, 春井聡, 武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • Organizer
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学(春日井市)
    • Year and Date
      2008-09-03
  • [Presentation] LiAIO_2(100)基板上MgドープM面(10-10)lnNの結晶成長2008

    • Author(s)
      高木悠介, 武藤大祐, 山口智広, 荒木努, 名西〓之
    • Organizer
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学(春日井市)
    • Year and Date
      2008-09-03
  • [Presentation] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (Invited)2008

    • Author(s)
      Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
    • Organizer
      International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA08)
    • Place of Presentation
      University of ALBERTA (EDMONTON, CANADA)
    • Year and Date
      2008-07-23
  • [Presentation] Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE on Hole-Pattemed GaN Template2008

    • Author(s)
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • Organizer
      27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
    • Place of Presentation
      ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
    • Year and Date
      2008-07-10
  • [Presentation] Fabrication and Electrical Characterization of InN MES and MIS Diode Structures2008

    • Author(s)
      S. Kikuchi, T. Sato, A. Hinoki, D. Muto, N. Maeda, T. Araki Y. Nanishi
    • Organizer
      27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
    • Place of Presentation
      ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
    • Year and Date
      2008-07-10
  • [Presentation] Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2008

    • Author(s)
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • Organizer
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • Place of Presentation
      Laforet Shuzenji (Japan)
    • Year and Date
      2008-07-07
  • [Presentation] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2008

    • Author(s)
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, Y. Nanishi
    • Organizer
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • Place of Presentation
      Laforet Shuzenji (Japan)
    • Year and Date
      2008-07-07
  • [Presentation] GaN and InN intermixing during RF-MBE growth observed by XRD2008

    • Author(s)
      D. Muto, T. Yamaeuchi, S. Sawada, T. Araki, Y. Nanishi
    • Organizer
      2008Electronic Materials Conference
    • Place of Presentation
      University of California (Santa Barbara, USA)
    • Year and Date
      2008-06-26
  • [Presentation] Photoreflectance and contactless electroreflectancc investigations of the energy gap and band bending for un-doped and Mg-doped InN layers2008

    • Author(s)
      R. Kudrawiec, J. Misiewicz, T. Suski, D. Muto, Y. Nanishi
    • Organizer
      XXXVII International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2008"
    • Place of Presentation
      Gwarek Hotel (Poland)
    • Year and Date
      2008-06-07

URL: 

Published: 2010-06-11   Modified: 2016-04-21  

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