2006 Fiscal Year Annual Research Report
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18206004
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| Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
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Principal Investigator |
小林 康之 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (90393727)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
牧本 俊樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (50374070)
赤坂 哲也 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (90393735)
西川 敦 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 研究員 (60417095)
中野 秀俊 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主幹研究員 (90393793)
後藤 秀樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 研究企画担当, 主任研究員 (10393795)
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| Keywords | 結晶成長 / 半導体物性 / 光物性 |
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| Research Abstract |
六方晶BN成長層の励起子光物性解明、量子ヘテロ構造、ドーピング特性の基本物性解明のためには、成長機構の解明、高品質化が必要不可欠となる。今年度は、(1)カソードルミネッセンスによる六方晶BN成長層の発光特性評価、(2)グラファイト化した6H-SiC基板上への六方晶BN成長、(3)サファイア基板上のBGaN混晶の成長及びBGaN混晶上のGaN成長を行なった。
(1)カソードルミネッセンスによる六方晶BN成長層の発光特性評価
室温において227nm付近のバンド近傍の発光が支配的な深紫外領域での発光を初めて観測した。また、アンモニア供給時間が長い成長条件下で結晶性が改善されバンド端近傍の発光が増大するという高品質化の指標を得た。
(2)グラファイト化した6H-SiC基板上への六方晶BN成長
グラファイト層をバッファ層として用いることにより6H-SiC基板と六方晶BNとの間の大きな格子不整合を克服することを提案した。6H-SiC基板を超高真空下でアニールすることにより表面をグラファイト化し、そのグラファイト層の膜厚を制御することにより有機金属気相成長法を用いてグラファイト層上の六方晶BN成長に成功し、その成長機構を解明した。
(3)サファイア基板上のBGaN混晶の成長及びBGaN混晶上のGaN成長
サファイア基板上にBGaN混晶を成長し、そのBGaN混晶をGaN成長の新しいバッファ層として用いることを提案した。BGaN混晶バッファ層上のGaN成長層は平坦であり、またその上のAlGaN/AlN/GaNヘテロ構造は非常に高い二次元電子ガス移動度を実現し、BGaN混晶上のGaN成長機構を解明した。
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