2008 Fiscal Year Self-evaluation Report
Research on hexagonal boron nitride semiconductor
| Project/Area Number |
18206004
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
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Principal Investigator |
KOBAYASHI Yasuyuki NTT Basic Research Laboratories, NTT物性科学基礎研究所, 主幹研究員 (90393727)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2009
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| Keywords | 半導体 / エピタキシャル成長 |
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| Research Abstract |
遠紫外領域で発光する素子は、環境汚染物質の検出、分解、HeCdレーザー、エキシマレーザーの置き換え、光記録ディスクの高集積化などさまざまな応用が期待され、産業に及ぼす影響が計り知れない。六方晶窒化ホウ素(h-BN)は、遠紫外領域の半導体発光材料としての可能性を有しているが、その基礎物性(光学バンドギャップ、発光特性、伝導性等)は、未解明の部分が多い。本研究では、有機金属気相成長、分子線エピタキシャル成長法により、h-BNエピタキシャル薄膜の高品質化を実現し、その基礎物性を解明することを目的とする。
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