2008 Fiscal Year Final Research Report
Study of terahertz electron devices with high power in wide frequency range using quantum nanostructures
| Project/Area Number |
18206040
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
ASADA Masahiro Tokyo Institute of Technology, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (30167887)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
WATANABE Masahiro 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 (00251637)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Keywords | テラヘルツデバイス / 共鳴トンネルダイオード / 集積スロットアンテナInGaAs / AlAs / InP / 発振素子 / アレイ構造 |
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| Research Abstract |
未開拓周波数であるテラヘルツ周波数帯に対して、高出力・広周波数域の発振・増幅デバイスの実現を目標として、共鳴トンネルダイオードと微細アンテナを集積したテラヘルツ発振素子において、室温の単体電子デバイスでは最高周波数の831GHz での基本波発振を得るとともに、二次元電子ガスの速度変調を用いた三端子増幅素子においては、ミリ波帯での基本動作を得ることにより、テラヘルツ帯での動作が可能であることを明らかにした。
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