2007 Fiscal Year Annual Research Report
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18310086
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| Research Institution | NTT Basic Research Laboratories |
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Principal Investigator |
小林 慶裕 NTT Basic Research Laboratories, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (30393739)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
本間 芳和 東京理科大学, 理学部, 教授 (30385512)
吉村 英恭 明治大学, 理工学部, 教授 (70281441)
前田 文彦 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (70393741)
鈴木 哲 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (00393744)
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| Keywords | ナノチューブ・フラーレン / 表面・界面物性 / 結晶成長 / 構造・機能材料 |
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| Research Abstract |
結晶基板上カーボンナノチューブ(CNT)成長の研究では、フェリチン類をサイズ制御された触媒として用いて、サファイア基板上での配向成長機構の追究を進めた。同一基板内に結晶性表面領域とアモルファス表面領域を形成した場合や異なる面方位の結晶性表面を形成した場合の成長様式を解析することにより、配向成長は先端成長機構で進行することを明らかにした。この結果は、2次電子放出効率の商い金を触媒として配向成長したCNTの走査電子顕微鏡観察でも裏忖けられた。今後、基板一触媒粒子の相互作用と成長CNT構造との相関を検証する。カイラリティの評価法に関連して、昨年度に引き続きラマン分光法によるCNTのCVD成長過程その場測定を実施した。CNTのカイラリティに敏感なRBM信号強度の成長時間依存性から成長カイネティクスの詳細な解析に成功した。本手法の結晶基板上成長への適用を試みたが、装置上の制約から測定可能な成長条件に到達できなかった。現在、制約を解消するために装置の改造を進めている。
清浄真空雰囲気でのCNT成長の検討では、ガスソースMBE装置を用いた低圧力(1〜10^<-2>Torr)条件下でのナノチューブ成長実験とCNTが成長した表面でのその場X線光電子分光測定を推し進めた。CNTが成長した表面でのその場X線光電子分光の結果からCo触媒は成長条件において金属性を保っていること、Fe触媒は高温成長条件では酸化物となっていることなど成長制御につながる触媒の化学状態解析に成功した。
成長触媒制御関連では、昨年度行った金銀銅などの貴金属類と同様の手法により、単結晶半導体基板上で形成したSi、Ge、SiCなどの半導体ナノ微粒子を触媒として単層CNTを成長することに成功した。この結果を基に、カイラリティ制御に結びつく新たな成長機構の提案を行った。
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Research Products
(41 results)
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[Journal Article] Reversible Defect Engineering of Single-Walled Carbon Nanotubes Using Scanning Tunneling Microscopy2007
Author(s)
Maxime Berthe, Shoji Yoshida, Yuta Ebine, Ken Kanazawa, Arifumi Okada, Atsushi Taninaka, Osamu Takeuchi, Nobuyuki Fukui, Hisanori Shinohara, Satoru Suzuki, Koji Sumitomo, Yoshihiro Kobayashi, Bruno Grandidier, Didier Stievenard, and Hidemi Shigekawa
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Journal Title
Nanoletters 7
Pages: 3623-362
Peer Reviewed
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