2007 Fiscal Year Annual Research Report
コンパクトな配位中心を持つ官能性ホスフィンを基盤とする触媒設計
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18350047
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| Research Institution | Hokkaido Univesity |
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Principal Investigator |
澤村 正也 Hokkaido University, 大学院・理学研究院, 教授 (40202105)
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| Keywords | 均一系触媒 / 不均一系触媒 / ホスフィン / ヒドロシリル化 / 水素化 / 高活性触媒 / 金触媒 / アルキン |
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| Research Abstract |
1.かご型ホスフィンSMAPに関する研究
かご型ホスフィンSMAPの親化合物であるPh-SMAPの合成法の改良を検討し、単工程、高収率で合成する方法を開発した。また、その遷移金属錯体の合成、X線結晶構造解析も行った。さらに、Ph-SMAPのRh錯体がケトンのヒドロシリル化や水素化の配位子として非常に優れていることを確認した。
シリカゲル表面上にジシロキサン結合を介してSMAP骨格を直接結合させることにより得られるシリカ担持ホスフィン[Silica]-SMAPは、構造的剛直さのため一つの金属中心に対して2つ以上のリン中心で配位することができないことが最大の特徴である。しかもリン原子の周りの立体障害は究極的に小さく、独特の配位空間を形成すると考えられる。[silica]-SMAPと[RhCl(C_2H_4)_2]]_2から調製される表面固定化Rh錯体が嵩高いケトンのヒドロシリル化に非常に高い活性を示すことは、すでに明らかになっていたが、本年度は、シリカ単体の構造を変えることにより、その活性を著しく向上させることに成功するとともに、嵩高いケトンの水素化にも成功した。
2.かさ高いエンドキャップを持つトリエチニルホスフィンに関する研究
エンドキャップが異なる様々なトリエチニルホスフィンを合成し、その錯形成特性を検討した。その結果、かさ高いエンドキャップを持ち、半中空構造となった配位子が、様々な金属種に対して1:1錯体を形成することが確認できた。また、これらの半中空形配位子がRh触媒によるケトンのヒドロジリル化に対して優れた加速効果を示すことを明らかにした。
さらに、半中空形トリエチニルホスフィンを配位子とするカチオン性金(I)錯体のアルキン環化反応に対する触媒活性を検討し、ケトエステルの分子内付加反応(Conia-ene reaction)やエンイン環化異性化反応に対し、優れた触媒活性を示すことを明らかにした。すなわち、従来触媒では困難であった6-exo-digおよび7-exo-dig環化を可能にするとともに、立体傷害のため進行しにくい内部アルキンの反応にも効果的であることを示した。
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Research Products
(21 results)
