2008 Fiscal Year Final Research Report
Clarification and the control of growth mode in bulk GaN crystal growth by ammonothermal method
| Project/Area Number |
18360004
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
KAGAMITANI Yuji Tohoku University, 多元物質科学研究所, 寄附研究部門教員 (40396536)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
FUKUDA Tsuguo 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 連携教授 (30199236)
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| Research Collaborator |
DIRK Ehrentraut 東北大学, 原子分子材料科学高等研究機構, 准教授 (50396537)
YOSHIKAWA Akira 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (50292264)
OGINO Hiraku 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (70359545)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Keywords | 結晶成長 / 結晶工学 / 環境材料 / 省エネルギー / 高性能レーザー / 窒化物半導体 |
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| Research Abstract |
アモノサーマル法によるGaN結晶作製を行い、GaNにおいても水熱合成法で実績のあるZnOと同じように結晶成長方位の制御が可能であることを見出した。また、30日間の長期育成にも成功し、透明なGaN作製に成功した。育成速度の高速化には、アンモニアのクラッキング状態が大きく影響することを明らかにし、アンモニア合成・分解触媒のタングステンを加えることで、最大で育成速度が28倍向上した。
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