2007 Fiscal Year Annual Research Report
BEEM/STMによる磁性体(半導体ナ)構造におけるスピン依存伝導現象の観測と制御
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18360021
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
吉野 淳二 Tokyo Institute of Technology, 大学院・理工学研究科, 教授 (90158486)
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| Keywords | BEEM / MEES / スピン依存トンネル現象 / STM / STS / ハーフメタル / スピンエレクトロニクス |
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| Research Abstract |
スピン偏極BEEM/BEES観測技術の開発を推進し,この観測技術を活用して磁性層中のスピン依存伝導を局所的に観測する技術を確立し,特に,半導体/磁性体界面におけるスピン依存トンネル現象における界面の影響を明らかにすると共に,スピン依存トンネル現象を促進させるための界面制御を実現することを目的として研究を進め,以下の成果を得た.
まず,GaAs表面上への磁性体の形成においてGaAsの表面再構成の制御が重要であることから,分子線の制御性を向上させた半導体/磁性体ヘテロ接合形成装置の設計作製を行った.
また,ハーフメタル型のバンド構造を有するという理論予測があるが,これまで,構造解析,磁化測定に留まっているzb型MnAsの物性,特に輸送特性をSTM及びその応用技術であるBEEM測定技術を用いて磁気輸送特性を明らかにすることを目指して,GaAs (001)基盤上でのMnおよびMnAsの成長初期過程の比較検討を行った.その結果,GaAs (001) c (4x4) 表面上では再構成構造の特異性を反映したzb型の第1層目の形成が起こるが,第2層目の形成では,エネルギー的不安定性のためNiAs型への移行が起こるということが明らかとなってきた.そこで,GaAsエピタキシャル成長表面を硫黄による表面改質を行ったGaAs (001) (2×6)-S表面上でのMnAsの初期成長過程を調べた結果,zb型MnAsドットの形成の可能性を示す結果を得た.
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