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2006 Fiscal Year Annual Research Report

近接場光相互作用を用いた超高集積光信号処理の研究

Research Project

Project/Area Number 18360032
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

大津 元一  東京大学, 大学院工学系研究科, 教授 (70114858)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 成瀬 誠  独立行政法人情報通信研究機構, 第1研究部門, 主任研究員 (20323529)
Keywords近接場光学 / ナノフォトニクス / 光エレクトロニクス
Research Abstract

我々は近接場光を用いたナノ寸法の光集積回路を世界に先駆けて提案し、これまでにその基礎理論、デバイス原理、ナノ光加工技術などの各種要素技術を開発してきた。本研究は、近接場光ナノデバイスのこれまでの実績を踏まえ、近接場光相互作用を用いて回折限界以下のナノスケールに機能を集積した超高集積システムの実現に向け、さらなる展開を目指す。情報爆発時代に要請される大量の情報通信や情報セキュリティなどの社会の新規要請を具体的に見据えつつ、近接場光相互作用を活用したシステムにおいて根本的に重要と位置づけられる問題に焦点を絞り、本年度は具体的には下記3項に取り組んだ。
(1)近接場光による光信号処理システムの自由度解明と応用探索
半導体量子ドットやナノロッド、金属ナノ構造などの物理限界や技術限界を把握するとともに、我々が開発してきた湯川モデルに基づく近接場光の理論モデル等を援用して、近接場光相互作用を用いた信号処理システムにおける自由度を解析した。さらに、情報セキュリティなどの応用の立場から近接場光システムの設計自由度の活用の可能性を探求した。
(2)近接場光信号処理の特性評価システムの構築
上記(1)の解析を踏まえ、近接場光相互作用で動作するシステム内の各点における時間応答を包括的に評価可能な実験システムを構築し、近接場光システムの動特性評価のための準備を行った。また、システム原理実験のためGaN等を用いたデバイス作成を進捗させた。
(3)近接場光信号処理における階層構造の探求:
近接場光信号処理における特徴的性質である近接場光相互作用の階層性について、マクロ領域とナノ領域の光接続の問題を含めて理論解析を深めるとともに、近接場光の局所性などの属性と併せた応用システムのアーキテクチャを検討した。

  • Research Products

    (1 results)

All 2006

All Journal Article (1 results)

  • [Journal Article] Near-field evaluation of a quantum size effect in self-aligned GaN whiskers fabricated by photochemical etching2006

    • Author(s)
      K.Kitamura, T.Yatsui, M.Ohtsu
    • Journal Title

      Optical Review 13・4

      Pages: 222-224

URL: 

Published: 2008-05-08   Modified: 2016-04-21  

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