2006 Fiscal Year Annual Research Report
大口径シリコン基板上の四元混晶窒化ガリウム系発光・電子デバイスに関する研究
| Project/Area Number |
18360169
|
|---|
| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
江川 孝志 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (00232934)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
石川 博康 名古屋工業大学, 工学研究科, 助教授 (20303696)
神保 孝志 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (80093087)
|
|---|
| Keywords | 有機金属気相成長法 / 四元混晶半導体 / 窒化物半導体 / ショットキーダイオード / ヘテロ接合 / 高電子移動度トランジスター / 二次元電子ガス |
|---|
| Research Abstract |
1)大口径Si基板上へのヘテロエピタキシャル成長技術の確立
MOCVD法を用いて従来の低温緩衝層を用いた二段階成長法とは異なり、約1100℃の高温で成長したAlN/AlGaN中間層を用いて4インチ径の大口径Si基板上に高品質GaN層を成長できた。従来の低温成長させたAlN緩衝層を用いたGaN層の成長では、荒れたGaN層の表面モフォロジーが得られた。これは、低温成長AlN緩衝層が三次元成長するため、Si基板とGaが反応した結果であると考えられる。高温成長したAlN/AlGaN中間層で良好なGaN表面が成長できた理由は、AlN/AlGaN中間層が二次元成長することにより、Si表面を被覆しSiとGaの反応を抑制したためと考えられる。
(2)AlN/Si界面の評価
XPS法を用いたAlN/Si界面のバンドオフセットの測定した。伝導帯のバンド不連続量は2.3±0.4eV、価電子帯のバンド不連続量は2.8±0.4eVと求められた。
(3)スイッチング電源用ノーマリオフ型InAlGaN/GaN HEMTの試作
サファイア基板上にIn_<0.02>Al_<0.1>Ga_<0.88>N/GaN HEMTを試作し、しきい値電圧=0Vが得られた。しかし、相互コンダクタンスやドレイン電流が小さく、静特性が劣化した。
|
Research Products
(2 results)
