2008 Fiscal Year Final Research Report
Study on quaternary GaN-based optoelectronic devices on large diameter Si substrate
| Project/Area Number |
18360169
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 一般 |
|---|
| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
|
|---|
| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
|---|
Principal Investigator |
EGAWA Takashi Nagoya Institute of Technology, 工学研究科, 教授 (00232934)
|
|---|
| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
JIMBO Takashi 名古屋工業大学, 工学研究科, 教授 (80093087)
ISHIKAWA Hiroyasu 名古屋工業大学, 工学研究科, 准教授 (20303696)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2006 – 2008
|
| Keywords | 有機金属気相成長法 / 四元混晶半導体 / 窒化物半導体 / 発光ダイオード / 量子井戸 / フォトルミネッセンス / X線回折 / 高電子移動度トランジスター |
|---|
| Research Abstract |
高温成長させてAlGaN/AlN中間層と歪超格子を用いてSi基板上に高品質のGaN層を総膜厚6μmまで成長できた。AlN/Siの界面における伝導帯のバンド不連続と価電子帯のバンド不連続はそれぞれ2.3±0.4eV、2.8±0.4eVと求められた。発光波長310nm付近のInAlGaN量子井戸構造を作製した。InAlGaN/GaN HEMTではしきい値電圧が0.21Vのノーマリオフ特性が得られた。
|
