2008 Fiscal Year Final Research Report
Stoichiometry-controlled high k-dielectrics for THz operating devices
| Project/Area Number |
18360309
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Inorganic materials/Physical properties
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
OYAMA Yutaka Tohoku University, 大学院・工学研究科, 教授 (80169367)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
TANABE Tadao 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10333840)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Keywords | 高誘電率ゲート酸化膜 / テラヘルツトランジスタ / 分子層堆積 / ノンストイキオメトリ / 点欠陥 |
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| Research Abstract |
1. 高比誘電率~100、低リーク電流密度10^<-5>A/cm^2、高絶縁破壊電圧0.5MV/cmのTiOxゲート絶縁膜を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)
2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)
2. TiOxゲート絶縁膜による、ソース・ドレイン間隔4ナノメーター(電気的に10ナノメーター)極微小MISゲートトランジスタのE/D動作を実現(一部論文発表及び新規論文準備中)
3. フォトキャパシタンス法によるTiOx及びSrTiOx絶縁膜中のノンストイキオメトリ欠陥電子準位を解明(一部論文発表及び新規論文準備中)
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Research Products
(7 results)
