2007 Fiscal Year Annual Research Report
超臨界ナノプレーティング法による超微細配線製造技術の研究
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18360350
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
曽根 正人 Tokyo Institute of Technology, 精密工学研究所, 准教授 (30323752)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
肥後 矢吉 東京工業大学, 精密工学研究所, 教授 (30016802)
柴田 曉伸 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教 (60451994)
石山 千恵美 東京工業大学, 精密工学研究所, 助教 (00311663)
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| Keywords | めっき / 精密造形プロセス / 微細プロセス技術 / 超臨界流体 / 表面処理 |
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| Research Abstract |
本申請者らは、超臨界二酸化炭素が電解質溶液とは混合しないが少量の界面活性剤を添加することによりエマルジョン化可能であることを見いだした。このエマルジョン化により液面が上昇し、系全体が通電し、プレイティングが均一に行われることを発見した。この方法は超臨界流体技術とめっき技術を融合させたものであり、超臨界ナノプレーティングシステム(SNP)と命名した。SNP法により得られたニッケル金属皮膜は従来のめっき法で作製された膜と異なり、ピンホールが無くレベリングも高いことが明らかとなっている。本提案は、この技術と超臨界二酸化炭素洗浄方法と組み合わせ超臨界二酸化炭素を用いた新規めっき法であるSNP法による超微細配線製造技術を確立することを目的としている。
本年度の実績としては、大きく二つの成果が挙げられる。(1)超微細配線製造技術の要素技術として、超臨界流体エマルジョンを用いた新規な無電界めっき技術を開発した。この手法を用いると、ピンホールやノジュールなどめっき反応由来の結果を除去可能であることが明らかになった。(2)超臨界ナノプレーティング法を用いて、120nm幅×深さ500nmの半導体用埋め込みチップに銅めっきを行った。この結果、SNP手法が高い埋め込み特性を示すことが明らかになった。この二つの成果は、研究計画に述べたものであり、十分に研究経過を達成したといえる。
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