2008 Fiscal Year Annual Research Report
シリコン半導体薄膜およびナノ構造材料の極低温合成に関する基礎的研究
| Project/Area Number |
18550014
|
|---|
| Research Institution | University of Yamanashi |
|---|
Principal Investigator |
佐藤 哲也 University of Yamanashi, クリーンエネルギー研究センター, 准教授 (60252011)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
中川 清和 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 教授 (40324181)
山中 淳二 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 准教授 (20293441)
有元 圭介 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 助教 (30345699)
|
|---|
| Keywords | 水素原子 / 低速電子 / トンネル反応 / 飛行時間型質量分析計 / 電子銃 / 極低温 / 水素化アモルファスシリコン / アモルファスカーボン |
|---|
| Research Abstract |
(1)収束電子ビームによりナノ材料を極低温で形成するための基礎研究を行った。低温に冷却した基板上に、Heで希釈されたモノシランを蒸着しながら、本課題で製作した低速電子銃を用いて電子ビームを照射し、照射電子の電流密度と製膜速度および水素含有量の相関を調べた。電子電流密度が低い場合には、水素含有濃度が〜30%と高くなりポリシラン的な薄膜が形成された。
(2)薄膜成長表面(サブサーフェイス)で形成されたナノシリコンをその場実時間するための分析法の開発に取り組んだ。代表者らがこれまでに開発した、反射飛行時間型質量分析計を改良し、質量数の大きなナノ粒子や水素化シリコンの構造解析を可能にするために、質量分解能を高めた。
(2)原料ガスにメタンを用いて炭素薄膜を極低温で合成した。化学結合や結晶性を水素化アモルファスシリコン薄膜の場合と比較し、表面反応素過程に関する基礎的な知見を得た。極低温で合成した水素化アモルファスシリコンの場合と比較して、結合水素濃度は数%と低く、光学バンドギャップが約1eVと小さいことが判った。
|
