2008 Fiscal Year Final Research Report
Crystal growth mechanism of organic semiconductors and characteristics of organic transistor
| Project/Area Number |
18560002
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Iwate University |
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Principal Investigator |
YOSHIMOTO Noriyuki Iwate University, 工学研究科, 准教授 (80250637)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
OGAWA Satoshi 岩手大学, 工学部, 教授 (70224102)
FUJISHIRO Hiroyuki 岩手大学, 工学部, 教授 (90199315)
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| Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) |
OGAWA Satoshi 岩手大学, 工学部, 教授 (70224102)
FUJISHIRO Hiroyuki 岩手大学, 工学部, 教授 (90199315)
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| Project Period (FY) |
2006 – 2008
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| Keywords | 有機半導体 / 結晶成長 / 薄膜 / X線回折 / 有機トランジスタ |
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| Research Abstract |
真空蒸着法による有機半導体薄膜の成長初期過程の解明を目的とし、微少角入射(GIXD)In-planeX線回折により有機半導体薄膜の面内構造を調査し、その膜厚依存性を解明するとともにトランジスタ特性を調査した。本研究において、SiO2ウエハ上に蒸着した平均膜厚0.2~100nmのオリゴチオフェンのIn-plane GIXDパタンを得ることに成功し、膜厚の増加と共に分子間のパッキングが変化することを明らかにした。
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Research Products
(47 results)
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[Presentation] Solution growth and polymorphism of distyryl-oligothiophene2008
Author(s)
M. Ito, W.Y. Li, N. Yoshimoto1, H. Muraoka, H. Fujishiro, Y. Asabe, J. Ackermann, C. Videlot-Ackermann, H. Brisset, F. Fages
Organizer
The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
Place of Presentation
Sendai, Japan
Year and Date
20080521-24
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[Presentation] チオフェン系有機半導体蒸着膜の構造評価2006
Author(s)
青澤桂樹, 角館俊行, 吉本則之, C. Videlot-Ackermann, J. Ackermann, H. Brisset, P. Raynal, F. Moggia, F. Fages
Organizer
2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会
Place of Presentation
立命館大学
Year and Date
20060829-0901
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