| Research Abstract |
今年度は表面状態図計算のGaAs(111)ならびにGaN(0001)への拡張,ナノ構造形成初期過程の解明を中心に検討を行った。各研究テーマ別の概要ならびに実績は以下の通りである。
GaAs(001)表面状態図:前年度未解明であった(2×4)γ表面状態図の詳細を明らかにすると共にc(4×4)表面および(2×4)β2表面から(2×4)γ表面への相転移機構を提案し,検討を終了した(国内会議講演,国際会議講演各1,雑誌論文印刷中1)。
GaAs(111)表面状態図:Ga分子線圧力,温度の関数としての状態図を作成し,GaAs成長初期における成長機構を明らかにした(国内会議講演,国際会議講演各1)。
GaN(0001)表面状態図:Ga分子線圧力,温度の関数としての状態図を作成し,新たに(1×1)構造が安定相として出現することを指摘すると共に,GaN成長島における表面構造変化を明らかにした(国内会議講演,国際会議講演各1,雑誌論文印刷中1)。
ナノワイヤ形成過程:Au/GaAs(111)界面での閃亜鉛鉱構造,ウルツ鉱構造安定性について検討しAuがGaAsの格子間に拡散することで,ウルツ鉱構造をもつナノワイヤが形成される可能性を明らかにした。さらに各種ナノワイヤにおける回転双晶形成機構について検討した(国内会議講演4内招待講演1,国際会議講演3,雑誌論文6,同印刷中2)。
積層欠陥四面体形成過程:InAs/GaAs(111)における積層欠陥四面体は,薄膜中に一般的に見られる貫通転位と同程度の形成エネルギーをもつことを明らかにすると共に,一定の膜厚を超えると積層欠陥四面体が形成され難くなるという実験結果にーつの解釈を与えた(国内会議講演1,雑誌論文1)。
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