2006 Fiscal Year Annual Research Report
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18560024
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Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Research Institution | Tokyo University of Science |
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Principal Investigator |
岡村 総一郎 東京理科大学, 理学部, 教授 (60224060)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
永沼 博 東京理科大学, 理学部, 助教 (60434023)
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| Keywords | 強誘電体薄膜 / 不揮発性メモリー / ヒステリシス / インプリント / 電荷注入 |
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| Research Abstract |
本年度は、インプリントに関して系統的なデータを得るため、高品質のPb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜の作製、昇温状態での特性を測定するための評価系の立ち上げ、ならびに実際のインプリント測定を行った。まず、化学溶液堆積(CSD)法によりPt/Ti/SiO_2/Si基板上に厚さ200nmのPZT薄膜を作製した。Pbの仕込み量を化学量論比に対して119%、仮焼温度を375℃、本焼温度を700℃とすることで、角型比の高い良好なヒステリシスが得られた。残留分極値は59μC/cm^2であった。この強誘電体薄膜上に直径0.2mmφの円状Pt電極を形成してキャパシタを構成し、その特性を強誘電体薄膜テスターで評価した。試料温度を50, 60, 70, 80, 90, 100℃とし、104秒間のヒステリシスのシフト量を計測した。その結果、時間tに対するヒステリシスの進行は、V_0(1+1nt/τ)という単純な式でフィティングできるが、フィティングのパラメータV_0やτは途中で3段階で切り替わること、そしてその切り替わりのタイミングは試料温度の上昇とともに早まることが明らかとなった。その結果をもとに、現在、インプリント進行のモデルを構築中である。これらの成果は、平成18年秋季応用物理学会(立命館大学)と平成19年春季応用物理学会(青山学院大学)で発表した。また、今年5月に開催される強誘電体の集積化に関する国際会議International Symposium on Integrated Ferroelectrics 2007(Bordeaux, France)で発表する予定である。論文に関しては、現在投稿準備中である。
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